KIA半導體官方供應KIA65R420，650V/11A N溝道超結MOSFET，RDS(on)=0.38Ω，TO-...KIA半導體官方供應KIA65R420，650V/11A N溝道超結MOSFET，RDS(on)=0.38Ω，TO-220F封裝，低柵極電荷高雪崩耐量，可直接替代進口型號，現貨穩(wěn)定供應，提供免費樣品...
IA半導體官方供應KIA3508A，80V/70A N溝道MOSFET，覆蓋TO-220/TO-263/TO-252全...IA半導體官方供應KIA3508A，80V/70A N溝道MOSFET，覆蓋TO-220/TO-263/TO-252全封裝，典型導通內阻7.5mΩ，100%雪崩測試，pin to pin兼容進口/國產型號，零改板替換...
KIA 半導體官方供應 KIA4603A，是 30V/7A N 溝道增強型 MOSFET，采用 SOP-8 封...KIA 半導體官方供應 KIA4603A，是 30V/7A N 溝道增強型 MOSFET，采用 SOP-8 封裝，典型導通電阻低至 14.5mΩ，超低柵極電荷，先進高密度溝槽工藝，優(yōu)秀 CdV/dt 抗...
該電路使用二極管的單向電導率進行整流。在U2的正半周期內，二極管D向前傳導。...該電路使用二極管的單向電導率進行整流。在U2的正半周期內，二極管D向前傳導。電流從變壓器次級線圈的上端流過二極管D，流過負載電阻RL并流回變壓器次級線圈的下端...
當按下其中一個鍵（用力按下S1，輕輕按下S2）時，IC2d的輸出會改變狀態(tài)，從而使...當按下其中一個鍵（用力按下S1，輕輕按下S2）時，IC2d的輸出會改變狀態(tài)，從而使時鐘發(fā)生器和IC1（通過IC2b）使能。然后，電容C1通過R1和R2充電，直到IC2a的輸入電...
KCX3650A場效應管漏源電壓500V，漏極電流60A，導通電阻RDS（ON）50mΩ，采用先...KCX3650A場效應管漏源電壓500V，漏極電流60A，導通電阻RDS（ON）50mΩ，采用先進的端接方案來提供增強的電壓阻斷能力，而不會隨著時間的推移降低性能；堅固的高壓...
