KIA3508A 80V70A N溝道MOSFET|KIA半導體官方現貨
信息來源:本站 日期:2026-04-28
KIA3508A核心對標規格:80V N溝道MOSFET,TO220/263封裝70A@25℃、TO252封裝60A@25℃,典型導通內阻RDS(on)=7.5mΩ@VGS=10V,175℃高結溫,100%全批次雪崩測試,覆蓋TO-220/TO-263/TO-252全封裝

| 品牌 | 競品型號 | 核心對標參數 | KIA3508A核心替代優勢 |
|---|---|---|---|
| 英飛凌Infineon | IRF3708PBF | 80V 75A,TO-220,RDS(on)典型8mΩ | 導通內阻更低,導通損耗更小;pin to pin完全兼容,零改板替換;供貨周期1-2周(進口8-12周),價格低30%+;全批次雪崩測試,量產一致性更優 |
| 安森美ON | NTD80N03RT4G | 80V 80A,TO-220,RDS(on)典型7.8mΩ | 175℃高結溫(競品150℃),高溫工況降額更小、更穩定;體二極管反向恢復特性更優,開關尖峰更小;同型號全封裝覆蓋,備料成本更低 |
| 意法半導體ST | STP75NF80 | 80V 75A,TO-220,RDS(on)典型8mΩ | 柵極電荷更低(55nC vs 60nC+),開關損耗更小;175℃寬溫設計,工業級適應性更強;直接替換無硬件改動,研發零成本 |
| 威世Vishay | SiHP75N80E | 80V 75A,TO-220,RDS(on)典型7.6mΩ | TO220/263/252全封裝同型號覆蓋,多項目通用;國內自有產能,無缺貨斷供風險;RoHS認證齊全,全球市場合規通用 |
| 品牌 | 競品型號 | 核心對標參數 | KIA3508A核心升級優勢 |
|---|---|---|---|
| 新潔能NCE | NCE80H70 | 80V 70A,TO-220/263,RDS(on)典型8mΩ | 導通內阻更低,溫升控制更優;100%全批次雪崩測試,抗浪涌抗炸機能力更強;同型號全封裝覆蓋,換料不用改BOM |
| 華潤微 | CRSS075N80N | 80V 75A,TO-220,RDS(on)典型7.5mΩ | 體二極管反向恢復時間更短(44nS),軟恢復特性更好,EMI過認證更輕松;175℃高結溫,工業嚴苛工況適應性更強 |
| 士蘭微 | SVT075N80M | 80V 75A,TO-220,RDS(on)典型7.8mΩ | 柵極電荷更低,開關損耗更小,整機效率更高;全批次參數離散性嚴控,量產良率穩定,不良率遠低于行業平均 |
| 華羿微 | HYG075N08LS1P | 80V 75A,TO-252,RDS(on)典型7.5mΩ | 同型號覆蓋3種主流封裝,多項目通用降低備料成本;供貨穩定交期可控,無旺季斷供風險 |
還在為進口MOS管漲價缺貨、交期拉長導致生產停線發愁?還在為國產MOS管批次一致性差、溫升超標、批量炸機頭疼?
KIA3508A專為逆變器、電機驅動、大功率電源、鋰電保護等場景打造,pin to pin兼容國際/國內全系列同規格競品,硬件零改板、BOM直接替換,以極致性能+穩定供貨+超高性價比,徹底解決您的選型、研發、量產、成本全鏈路痛點。
做逆變器的老板和工程師,別再被MOS管卡脖子了!
KIA3508A專為逆變場景深度優化,完美適配光伏微型逆變器、儲能逆變器、工頻逆變器的DC-AC逆變、同步整流、升壓電路,直擊行業核心痛點:
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品牌:KIA SEMICONDUCTORS (KMOS Semiconductor)
本產品提供三種封裝形式:TO-252、TO-263、TO-220,引腳功能統一定義如下:
| Pin 引腳號 | Function 引腳功能 |
|---|---|
| 1 | Gate 柵極 (G) |
| 2 | Drain 漏極 (D) |
| 3 | Source 源極 (S) |
| Part Number 產品型號 | Package 封裝形式 | Brand 品牌 |
|---|---|---|
| KND3508A | TO-252 | KIA |
| KNB3508A | TO-263 | KIA |
| KNP3508A | TO-220 | KIA |
(TA=25℃, unless otherwise noted 除特別說明外,測試環境溫度均為25℃)
| Parameter 參數 | Symbol 符號 | Rating 額定值 | Units 單位 | |
|---|---|---|---|---|
| TO-220/263 | TO-252 | |||
| Drain-source voltage 漏源電壓 | VDSS | 80 | V | |
| Gate-source voltage 柵源電壓 | VGSS | ±25 | V | |
| Maximum junction temperature 最高工作結溫 | TJ | 175 | ℃ | |
| Storage temperature range 存儲溫度范圍 | TSTG | -55 ~ 175 | ℃ | |
|
Continuous drain current 連續漏極電流 TC=25℃ TC=100℃ |
ID | 70 | 60 | A |
| 46 | 36 | |||
| Pulsed drain current 脈沖漏極電流 TC=25℃ | IDP | 240 | A | |
| Avalanche current 雪崩電流 | IAS | 70 | A | |
(TA=25℃, unless otherwise noted 除特別說明外,測試環境溫度均為25℃)
| Parameter 參數 | Symbol 符號 | Test Conditions 測試條件 | Min 最小值 | Typ 典型值 | Max 最大值 | Units 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Static Characteristics 靜態特性 | |||||||
| Drain-Source breakdown voltage 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 80 | - | - | V | |
| Zero gate voltage drain current 零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ | - | - | 1 | μA | |
| VDS=24V, VGS=0V, TJ=85℃ | - | - | 30 | ||||
| Gate threshold voltage 柵極閾值電壓 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250μA | 2 | 3 | 4 | V | |
| Gate leakage current 柵極漏電流 | IGSS | VGS=±25V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA | |
| Drain-source on-state resistance 漏源導通電阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=35A 1) | - | 7.5 | 9 | mΩ | |
| Dynamic Characteristics 動態特性 2) | |||||||
| Gate resistance 柵極電阻 | Rg | VDS=0V, VGS=0V,f=1MHz | - | 1.5 | - | Ω | |
| Input capacitance 輸入電容 | Ciss | VDS=30V,VGS=0V, f=1MHz | - | 2900 | - | pF | |
| Output capacitance 輸出電容 | Coss | - | 290 | - | |||
| Reverse transfer capacitance 反向傳輸電容 | Crss | - | 175 | - | |||
| Turn-on delay time 開通延遲時間 | td(on) | VDD=30V,IDS=1A, RL=30Ω,RG=6Ω, VGEN=-10V | - | 14 | - | ns | |
| Rise time 上升時間 | tr | - | 11 | - | |||
| Turn-off delay time 關斷延遲時間 | td(off) | - | 51 | - | |||
| Fall time 下降時間 | tf | - | 22 | - | |||
| Gate Charge Characteristics 柵極電荷特性 2) | |||||||
| Total gate charge 總柵極電荷 | Qg | VDS=30V,VGS=10V IDS=35A | - | 55 | - | nC | |
| Gate-source charge 柵源電荷 | Qgs | - | 12 | - | |||
| Gate-drain charge 柵漏電荷 | Qgd | - | 16 | - | |||
| Diode Characteristics 體二極管特性 | |||||||
| Diode forward voltage 二極管正向電壓 | VSD | ISD=20A, VGS=0V 1) | - | 0.8 | 1.3 | V | |
| Reverse recovery time 反向恢復時間 | trr | ISD=35A , dlSD/dt=100A/μs | - | 44 | - | nS | |
| Reverse recovery charge 反向恢復電荷 | Qrr | - | 60 | - | nC | ||
Note 備注:
1) Pulse test: pulse width≤300us duty cycle≤2%. 脈沖測試:脈沖寬度≤300us,占空比≤2%。
2) Guaranteed by design, not subject to production testing. 由設計保證,不做量產測試。
本產品完整特性測試包含以下項目,對應特性曲線說明如下:
本產品開關特性測試包含標準開關測試電路 Switch Test Circuit,以及對應開關時間波形 Switching Time Waveform,完整覆蓋開通延遲、上升時間、關斷延遲、下降時間等動態開關參數測試。
聯系方式:鄒先生
座機:0755-83888366-8022
手機:18123972950(微信同號)
QQ:2880195519
聯系地址:深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
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