TO-220AB:TO-220AB是特定的JEDEC編碼,“AB”是指符合特定的測量規范的3個直插...TO-220AB:TO-220AB是特定的JEDEC編碼,“AB”是指符合特定的測量規范的3個直插腳編。 TO-220-3是通用的編碼,指具有TO-220本體和3引腳的零件。相同的封裝系列中...
SOT-227小型晶體管封裝,是一種體積介于單管和模塊之間的內絕緣功率半導體封裝...SOT-227小型晶體管封裝,是一種體積介于單管和模塊之間的內絕緣功率半導體封裝,采用M4螺絲法蘭底板安裝和4個引出端口,常用于封裝IGBT、二極管和MOSFET等器件。
原廠優質現貨KNY3303A場效應管漏源擊穿電壓30V,漏極電流90A,?采用先進的平面...原廠優質現貨KNY3303A場效應管漏源擊穿電壓30V,漏極電流90A,?采用先進的平面條形DMOS技術生產,極低導通電阻RDS(導通) 3.1mΩ,最大限度地降低導通電阻,減少損...
電源電壓大于穩壓二極管D1電壓Vref+三極管導通電壓(0點幾伏)時,Q1導通,R4上...電源電壓大于穩壓二極管D1電壓Vref+三極管導通電壓(0點幾伏)時,Q1導通,R4上端電壓為電源電壓減去三極管導通電壓。Q2是P-MOS,就不導通了;否則,Q1不導通,R4...
12V電壓經10V穩壓二極管時,因二極管正向壓降特性,兩端電壓被穩定至10V,剩余...12V電壓經10V穩壓二極管時,因二極管正向壓降特性,兩端電壓被穩定至10V,剩余2V壓差使MOS管柵極與源極間形成足夠驅動能力,促使MOS管導通。此過程實現將12V電壓穩...
原廠優質車規級場效應管KAND3404R漏源擊穿電壓40V,漏極電流80A,采用先進溝槽...原廠優質車規級場效應管KAND3404R漏源擊穿電壓40V,漏極電流80A,采用先進溝槽技術制造,極低導通電阻RDS(導通) 5.5mΩ,最大限度地減少導電損耗,提高效率;具有...