PPN電容是CBB13型無感箔式聚丙烯膜電容的另一種名稱，屬于薄膜電容器的一種，具...PPN電容是CBB13型無感箔式聚丙烯膜電容的另一種名稱，屬于薄膜電容器的一種，具有高頻損耗小、耐沖擊、溫度穩(wěn)定性好等特點，廣泛應用于高頻、直流、交流及大電流脈...
KCX012N09N場效應管漏源擊穿電壓90V，漏極電流305A ，采用先進的MOS技術制造，...KCX012N09N場效應管漏源擊穿電壓90V，漏極電流305A ，采用先進的MOS技術制造，極低導通電阻RDS(開啟) 1.3mΩ，卓越的QgxRDS（on）產(chǎn)品（FOM），減少開關損耗，提高...
TIP42C是PNP功率晶體管，采用TO-220塑料封裝，材料是SI-NPN，該器件適用于音頻...TIP42C是PNP功率晶體管，采用TO-220塑料封裝，材料是SI-NPN，該器件適用于音頻，功率線性和開關應用。與TIP42C互補的PNP類型為TIP41C中功率三極管，其廣泛用于信號...
無線電通信是利用電磁波進行信息傳輸?shù)囊环N技術。無線電通常使用調頻或調幅技術...無線電通信是利用電磁波進行信息傳輸?shù)囊环N技術。無線電通常使用調頻或調幅技術將信息轉化為電信號,然后通過天線傳輸。 1.調制：發(fā)射端先將要傳輸?shù)男盘栠M行調制...
KCP3525A場效應管漏源擊穿電壓250V，漏極電流70A ，采用先進的SGT技術制造，專...KCP3525A場效應管漏源擊穿電壓250V，漏極電流70A ，采用先進的SGT技術制造，專有新溝槽技術，極低導通電阻RDS(開啟) 18.5mΩ，低柵極電荷減少開關損耗，提高效率；...
