11n40,11n40c參數,400v11a場效應管,KNF6140S批發-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2026-04-14
最大漏源電壓：400V
最大連續漏極電流：10.5A
最大導通電阻：0.53Ω（典型值）
11n40采用TO-220或TO-220F封裝，用于開關電源、有源功率因數校正（PFC）和電子燈鎮流器等應用。
11n40c場效應管參數 1:1 完全匹配，替代首選型號KNF6140S是一款N溝道增強型MOSFET，采用平面條紋和DMOS技術制造，與11n40c參數、封裝、特性完全一致，國內優質原廠現貨批發，貨源穩定。
KNF6140S場效應管漏源擊穿電壓400V，漏極電流11A，低導通電阻RDS(on)=0.53Ω@10V，中高壓下低損耗、高效率；具有低柵極電荷 (Qg)，開關速度快，適合高頻電路；100% 雪崩測試，抗沖擊能力強，工作穩定可靠；適用于AC-DC 開關電源、適配器、LED 驅動、PFC 電路、電子鎮流器、繼電器驅動；封裝形式：TO-220F，全塑封封裝。
詳細參數：
漏源電壓：400V
漏極電流：11A
導通電阻：0.53Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：44A
單脈沖雪崩能量：365MJ
功率耗散：40.2W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：15.7nC
輸入電容：980PF
輸出電容：140PF
反向傳輸電容：2.6PF
開通延遲時間：33.5nS
關斷延遲時間：83nS
上升時間：31.5ns
下降時間：56ns
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