?nce6050ka參數,50n06場效應管現貨,KIA50N06BD-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2026-04-14
漏源擊穿電壓（Vdss）：60V
連續漏極電流（Id）：50A
漏源導通電阻（Rds(on)）：典型值小于20mΩ，部分測試條件下可低至13.8mΩ
最大功率耗散（Pd）：85W
柵源極閾值電壓（Vgs（th））：2.5V（測試條件ld=250uA）
柵極電荷量（Qg）：50nC
輸入電容（Ciss）：2.05nF
nce6050ka采用TO-252封裝，廣泛應用于電源管理及電機控制領域。
原廠優質現貨KIA50N06BD場效應管是nce6050ka同規格、同封裝、可直接替換的型號，具有參數均衡、性價比高、國內貨源充足等優勢。
KIA50N06BD是一款N溝道功率MOSFET，核心參數為漏源電壓60V、連續漏極電流50A，采用TO-252封裝，導通電阻10.5mΩ，主要用于電動車控制器、電源、電機驅動、逆變器等應用場景。
KIA50N06BD采用先進的溝槽技術制造，具有低功耗、低內阻，導通損耗小、溫升低，低柵極電荷（Qg），開關速度快、效率高；高雪崩電流，能夠承受較高的電壓脈沖，在應用中高效穩定可靠；國內原廠穩定供貨，通用性強，性價比高，適合消費電子、電源等。
詳細參數：
漏源電壓：60V
漏極電流：50A
導通電阻：10.5mΩ
柵源電壓：±25V
脈沖漏電流：250A
單脈沖雪崩能量：120MJ
功率耗散：88W
閾值電壓：3V
總柵極電荷：50nC
輸入電容：2060PF
輸出電容：755PF
反向傳輸電容：375PF
開通延遲時間：14nS
關斷延遲時間：20nS
上升時間：13ns
下降時間：7.5ns
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