5n50,5n50場效應管?,500v5a,to252,KIA5N50HD現貨-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2026-03-31
原廠優質現貨KIA5N50HD場效應管漏源擊穿電壓500V，漏極電流5A，用先進的溝槽技術生產，低導通電阻RDS(導通) 1.0Ω，最大限度地減少導電損耗，最小化開關損耗，提高效率；具有低柵極電荷，開關速度快以及在峰值電流或脈沖寬度方面表現出卓越的性能，高效穩定，符合RoHS環保要求，專用于HD安定器、適配器、充電器和SMPS備用電源中，封裝形式：TO-252，散熱出色。
詳細參數：
漏源電壓：500V
漏極電流：5A
導通電阻：1.0Ω
柵源電壓：±20V
單脈沖雪崩能量：260MJ
功率耗散：100W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：14nC
輸入電容：525PF
輸出電容：64PF
反向傳輸電容：12PF
開通延遲時間：9nS
關斷延遲時間：30nS
上升時間：11ns
下降時間：16ns
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術支持
免責聲明：網站部分圖文來源其它出處，如有侵權請聯系刪除。
