35P10,?-100v-35a,p溝道,KIA35P10BD場效應(yīng)管現(xiàn)貨-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2026-03-30
原廠優(yōu)質(zhì)P溝道MOS管KIA35P10BD漏源擊穿電壓-100V，漏極電流-35A，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)生產(chǎn)，極低導(dǎo)通電阻RDS(導(dǎo)通) 45mΩ，最大限度地降低導(dǎo)通電阻，減少損耗，提供卓越的開關(guān)性能；具有低交叉干擾、快速開關(guān)，在應(yīng)用中高效穩(wěn)定；100%經(jīng)雪崩測試、dv/dt響應(yīng)能力提升，可靠且堅(jiān)固耐用，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無鉛；適用于PWM應(yīng)用、負(fù)載開關(guān)、電源管理等；封裝形式：TO-252，散熱出色。
詳細(xì)參數(shù)：
漏源電壓：-100V
漏極電流：-35A
導(dǎo)通電阻：45mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：-120A
單脈沖雪崩能量：272MJ
功率耗散：125W
閾值電壓：-2V
總柵極電荷：87nC
輸入電容：4650PF
輸出電容：135PF
反向傳輸電容：110PF
開通延遲時(shí)間：16nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：35nS
上升時(shí)間：48ns
下降時(shí)間：18ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機(jī)：0755-83888366-8022
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