mos管的電路符號,符號畫法分享-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-11-17
MOSFET的三端標記分別為 G， S， D(Gate， Source， Drain)， 電路符號有多種形式， 最常見的如下圖所示， 以一條垂直線代表溝道(Channel)， 兩條和溝道平行的接線代表源極(Source)與漏極(Drain)， 左方和溝道垂直的接線代表柵極(Gate)。 有時也會將代表溝道的直線以虛線代替， 以區(qū)分增強型(enhancement mode)MOSFET 或是耗盡型(depletion mode)MOSFET。
柵極（G）：垂直線或與溝道垂直的接線，控制導電溝道。
源極（S）：與箭頭相連的接線，連接電流輸入/輸出端。
漏極（D）：不與箭頭相連的接線，連接電流輸出/輸入端。
襯底表示：箭頭指向柵極表示N溝道，背向表示P溝道，箭頭必須與源極連接以區(qū)分電極。
耗盡型與增強型區(qū)別
耗盡型在 Gate 不加電壓， 即柵極電壓為0時有導電溝道存在， 而增強型只有在開啟后才會出現(xiàn)導電溝道。
控制方式也不一樣， 耗盡型的柵極電壓 Vgs 可以用正，零，負電壓控制導通， 增強型必須使 Vgs > Vth(柵極閾值電壓) 才行。
耗盡型MOS管在實際應用中， 設備開機時可能會誤觸發(fā)MOS管， 導致整機失控， 所以在實際應用中使用較少。 大功率MOS管以增強型為主， 只有在中小功率產(chǎn)品中包含耗盡型。 常規(guī)開關電源以及類似正電壓導通做開關作用的場合均為增強型， 有些放大電路， 逆變電路還有些高頻電路中選擇耗盡型。
常規(guī)選型以增強型為主，特定場合如需要負電壓開啟，開關速度需求過高，用作信號放大等等特定場合才用耗盡型。
mos管的電路符號畫法
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