KNH2906B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流130A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 4.6m...KNH2906B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流130A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 4.6mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，提高效率；采用KIA半導(dǎo)體尖端技術(shù)制造，具有?快速開(kāi)關(guān)...
電源從左側(cè)正常輸入時(shí)： 當(dāng)VCC有效時(shí)，PMOS的體二極管率先導(dǎo)通，隨后S極的電壓...電源從左側(cè)正常輸入時(shí)： 當(dāng)VCC有效時(shí)，PMOS的體二極管率先導(dǎo)通，隨后S極的電壓由先前的0V變成了（VCC-0.7），此時(shí)Vgs = 0 -（VCC-0.7）= -VCC+0.7。
SOT-89是表面貼裝晶體管封裝形式之一，主要用于中功率場(chǎng)景。 SOT-89封裝尺寸規(guī)...SOT-89是表面貼裝晶體管封裝形式之一，主要用于中功率場(chǎng)景。 SOT-89封裝尺寸規(guī)范： 主體尺寸4.5mm（長(zhǎng)）×2.45mm（寬）×1.55mm（高） 引腳布局：3/5引腳配置，...
KNF7150A?場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓500V，漏極電流20A，采用專有平面技術(shù)制造，極...KNF7150A?場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓500V，漏極電流20A，采用專有平面技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 0.24Ω，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，低柵極電荷，有效降低開(kāi)關(guān)損...
充電器從220V的交流電開(kāi)始工作。一端通過(guò)一個(gè)4007型號(hào)的半波整流器，另一端則連...充電器從220V的交流電開(kāi)始工作。一端通過(guò)一個(gè)4007型號(hào)的半波整流器，另一端則連接一個(gè)10歐姆的電阻，然后通過(guò)一個(gè)10微法拉的電容器進(jìn)行濾波。這個(gè)10歐姆的電阻起到...
當(dāng)輸入端3.3V為低電平時(shí)，D1導(dǎo)通，輸出端1.8V為低電平，實(shí)現(xiàn)兩端都為低電平。當(dāng)...當(dāng)輸入端3.3V為低電平時(shí)，D1導(dǎo)通，輸出端1.8V為低電平，實(shí)現(xiàn)兩端都為低電平。當(dāng)輸入端3.3V為高電平時(shí)，D1截止，輸出端被R1上拉至1.8V，為高電平，實(shí)現(xiàn)兩端都為高電...
