80V 160A大功率MOS管 KNX2708A 適配UPS逆變器/DC-DC轉換器
信息來源：本站 日期：2026-04-29
KIA KNX2708A 80V 160A MOSFET
賣點及替代競品一、核心賣點（適配客戶真實使用領域）
1. 高功率承載，適配大功率場景
80V耐壓、160A連續 drain 電流（Tc=25℃），脈沖電流可達640A，單脈沖雪
崩能量1100mJ，輕松應對大功率設備運行需求，杜絕電流過載、電壓擊穿問
題，適配高功率DC/DC轉換器、UPS逆變器等場景。
2. 低損耗高效，降低設備運行成本
采用專有新溝槽技術，Rds(ON)典型值僅4.0mΩ（@VGS=10V，ID=24A）
，低柵極電荷設計，大幅降低開關損耗和導通損耗；正向跨導達130S，開關響應
迅速，提升設備能效，減少能耗浪費，適配對能效要求高的同步整流場景。
3. 高可靠性，適配嚴苛工況
支持-55℃~175℃寬溫運行，峰值二極管恢復dv/dt達5.0V/ns，100%適配高低
溫、高電壓波動等嚴苛工業環境；快恢復體二極管設計，抗干擾能力強，避免設備運
行中出現故障，適配工業級UPS、大功率電源設備。
4. 多封裝可選，適配多樣設計需求
提供TO-220、TO-263兩種封裝（對應型號KNP2708A、KNB2708A），管腳定
義清晰（3腳/4腳適配不同安裝需求），可直接匹配現有PCB設計，無需改板，適
配不同體積、安裝空間的設備設計，兼顧通用性和靈活性。
5. 高性價比，國產替代優選
KIA原廠品質，參數穩定，價格優于進口同規格產品，交期穩定；支持批量供貨，
提供完善技術支持，可直接替代進口競品，降低采購成本，適配追求高性價比的工業、
電源領域客戶。
二、適配客戶使用領域
高 efficiency DC/DC轉換器：低損耗、快開關特性，提升轉換器能效，
適配大功率電源轉換場景（如工業電源、服務器電源）。
同步整流：快恢復體二極管、低導通電阻，減少整流損耗，適配充電器、
適配器等需要高效整流的設備。
UPS逆變器：高電流承載、寬溫運行、高雪崩能力，適配UPS設備的大功率逆變需
求，保障斷電時穩定供電。
工業大功率設備：160A大電流、80V耐壓，適配工業電機驅動、大功率控制器等場景，
穩定可靠。
新能源相關設備：寬溫、低損耗特性，適配新能源充電樁、儲能設備的電源管理模塊
三、KNX2708A 競品替代對標表（同規格可直接替換，無需改板）
110A（Tc=25℃）
替代型號
品牌
Vds（耐壓）
Id（連續電流）
Rds(ON)@10V（典型值）
封裝
核心優勢
適配場景
KIA KNX2708A（原型號）
KIA
80V
160A（Tc=25℃）
4.0mΩ
TO-220、TO-263
低損耗、高雪崩能量、多封裝、高性價比
DC/DC轉換器、同步整流、UPS逆變器
IRF3205
IR（國際整流器）
55V（可兼容80V以下場景）
8.0mΩ
TO-220
進口品質、穩定性高、市場認可度高
中大功率DC/DC、電機驅動（80V以下場景）
IRF3205
Fairchild（仙童）
80V
120A（Tc=25℃）
5.0mΩ
TO-220
快開關、低柵極電荷、抗干擾強
UPS逆變器、同步整流、大功率電源
NCE80H160
新潔能（國產）
80V
160A（Tc=25℃）
4.5mΩ
TO-220、TO-263
國產高性價比、參數匹配度高、交期穩定
完全替代KNX2708A，適配所有原型號場景
SM80160
矽微（國產）
80V
160A（Tc=25℃
4.2mΩ
TO-220、TO-263
低損耗、寬溫運行、管腳完全兼容
DC/DC轉換器、UPS逆變器、工業大功率設備
AP80N160（銓力）
銓力（國產）
80V
160A（Tc=25℃）
4.8mΩ
TO-220
價格低廉、批量供貨穩定、適配民用工業場景
同步整流、中大功率電源、民用設備
IPD80N160P7（英飛凌）
英飛凌（進口）
80V
160A（Tc=25℃）
3.8mΩ
TO-220
車規級品質、低損耗、高可靠性
高端UPS、新能源設備、嚴苛工業場景
| Pin | Function |
|---|---|
| 1 | Gate |
| 2 | Drain |
| 3 | Source |
| 4 (TO-263) | Drain |
| Part Number | Package | Brand |
|---|---|---|
| KNP2708A | TO-220 | KIA |
| KNB2708A | TO-263 | KIA |
| Symbol | Parameter | Rating | Unit |
|---|---|---|---|
| VDSS | Drain-to-Source Voltage | 80 | V |
| VGSS | Gate-to-Source Voltage | ±20 | V |
| ID | Continuous Drain Current (TC=25℃) | 160 | A |
| ID @ TC=100℃ | Continuous Drain Current @ TC=100℃ | 80 | A |
| IDM | Pulsed Drain Current at VGS=10V | 640 | A |
| EAS | Single Pulse Avalanche Energy | 1100 | mJ |
| dv/dt | Peak Diode Recovery dv/dt | 5.0 | V/ns |
| PD | Power Dissipation | 313 | W |
| - | Derating Factor above 25℃ | 2.08 | W/℃ |
| TL | Maximum Temperature for Soldering (Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10 seconds) | 300 | ℃ |
| TPAK | Maximum Temperature for Soldering (Package Body for 10 seconds) | 260 | ℃ |
| TJ&TSTG | Operating and Storage Temperature Range | -55 to 175 | ℃ |
Caution: Stresses greater than those listed in the "Absolute Maximum Ratings" may cause permanent damage to the device.
| Symbol | Parameter | Rating | Unit |
|---|---|---|---|
| RθJC | Thermal Resistance, Junction-to-Case | 0.48 | ℃/W |
| RθJA | Thermal Resistance, Junction-to-Ambient | 62 | ℃/W |
| Symbol | Parameter | Test Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BVDSS | Drain-to-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ID=250uA | 80 | - | - | V |
| IDSS | Drain-to-Source Leakage Current | VDS=80V, VGS=0V | - | - | 5 | uA |
| VDS=64V, VGS=0V, TJ=125℃ | - | - | 100 | uA | ||
| IGSS | Gate-to-Source Leakage Current | VGS=+20V, VDS=0V | - | - | +100 | nA |
| VGS=-20V, VDS=0V | - | - | -100 | nA |
| Symbol | Parameter | Test Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RDS(ON) | Static Drain-to-Source On-Resistance | VGS=10V, ID=24A | - | 4.0 | 4.8 | mΩ |
| VGS(TH) | Gate Threshold Voltage | VDS=VGS, ID=250uA | 2.0 | - | 4.0 | V |
| gfs | Forward Transconductance | VDS=10V, ID=80A | - | 130 | - | S |
| Symbol | Parameter | Test Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Ciss | Input Capacitance | VGS=0V, VDS=25V, f=1.0MHz | - | 9300 | - | pF |
| Coss | Output Capacitance | - | 650 | - | pF | |
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | - | 260 | - | pF | |
| Rg | Gate Series Resistance | f=1.0MHz | - | 2.7 | - | Ω |
| Qg | Total Gate Charge | VDD=40V, ID=80A, VGS=0 to 10V | - | 115 | - | nC |
| Qgs | Gate-to-Source Charge | - | 40 | - | nC | |
| Qgd | Gate-to-Drain (Miller) Charge | - | 30 | - | nC |
| Symbol | Parameter | Test Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| td(ON) | Turn-on Delay Time | VDD=40V, ID=40A, VGS=10V, RG=10Ω | - | 50 | - | nS |
| trise | Rise Time | - | 135 | - | nS | |
| td(OFF) | Turn-Off Delay Time | - | 112 | - | nS | |
| tfall | Fall Time | - | 75 | - | nS |
| Symbol | Parameter | Test Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ISD | Continuous Source Current | Integral PN-diode in MOSFET | - | - | 160 | A |
| ISM | Pulsed Source Current | - | - | - | 640 | A |
| VSD | Diode Forward Voltage | IS=80A, VGS=0V | - | - | 1.2 | V |
| trr | Reverse Recovery Time | VGS=0V, IF=80A, diF/dt=100A/μs | - | 85 | - | ns |
| Qrr | Reverse Recovery Charge | - | 205 | - | nC |
Note:
[1] TJ = +25 ℃ to +175 ℃.
[2] Silicon limited current only.
[3] Package limited current.
[4] Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.
[5] Pulse width ≤380μs; duty cycle ≤2%.
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519（技術群，也可以加這個qq）
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
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