KIA4590A 900V6A MOS管|適配器充電器專用現貨
信息來源：本站 日期：2026-04-29
1. 國際品牌直接替代（Pin to Pin 兼容）
英飛凌：FQP6N90C、FQA6N90C
意法 ST：STP6NK90Z、STP6NK90ZFP、STB6NK90ZT4
ON 安森美：NDF6N90、NTGF6N90
Vishay 威世：SUP6N90、SIHP6N90
東芝：TK6A90E、2SK4005
2. 國產品牌同參數替代
新潔能：NCE690F、NCE6N90
華潤微：CR6N90、CRS6N90
士蘭微：SVT6N90、SL6N90
微碧：VBM6N90、VBL6N90
東微 / 瑞森 / 飛虹：OSG6N90、RS6N90、FHP6N90
KIA4590A 900V/6A 高壓 MOS 管｜適配器 / 充電器 / 待機電源專用 零改板替代
還在為高壓電源炸管、發(fā)熱大、效率不達標、供貨不穩(wěn)發(fā)愁？KIA4590A 專為適配器、充電器、
開關電源待機電源打造，900V 高耐壓 + 6A 大電流 + 1.6Ω 低內阻 + 快速恢復體二極管，完美解決小功率高壓電源的四大核心痛點：
1. 適配器 / 充電器場景（最核心）
痛點：高壓尖峰擊穿、發(fā)熱嚴重、溫升超標、體積受限
? 900V 足額耐壓：無懼 AC-DC 母線高壓尖峰，杜絕炸管擊穿
? 1.6Ω 低導通電阻：導通損耗更低，溫升下降明顯，散熱更輕松
? 快速恢復體二極管：反向恢復干凈，EMI 更好過，無需額外緩沖電路
? TO-220F 絕緣封裝：安全不短路，小體積電源也能放心用
2. 開關電源 / 待機電源場景
痛點：待機損耗高、效率低、長期工作不穩(wěn)定
? 超低柵極電荷 Qg=38nC：開關損耗小，整機效率提升更明顯
? 低漏電流 I_DSS≤1μA：待機功耗更低，輕松滿足六級能效
? 150℃寬溫穩(wěn)定：7×24 小時連續(xù)工作不衰減，可靠性拉滿
? RoHS 無鉛環(huán)保：全球認證齊全，出口產品無憂
3. 替代升級場景（客戶最關心）
痛點：進口貴、交期長、國產參數虛標、一致性差
? Pin to Pin 完美兼容：直接替換 FQP6N90/STP6NK90Z 等，零改板、零重測
? 參數實打實不虛標：RDS (on)=1.6Ω 典型值，6A 連續(xù)電流足額不虛標
? 全批次品控穩(wěn)定：一致性好，量產不翻車，售后成本大幅降低
? 現貨穩(wěn)定 + 性價比高：告別進口斷供漲價，成本直降 30%+
三、簡短營銷口號（海報 / Banner 用）
KIA4590A｜900V 高壓 MOS 管，適配器 / 充電器穩(wěn)用之選
不炸管、低發(fā)熱、高效率｜KIA4590A 高壓電源專用 MOS
900V/6A 足額參數，直接替代進口，零改板更省心
小功率高壓電源優(yōu)選：耐壓足、損耗低、供貨穩(wěn)
KNF4590A
本產品提供兩種封裝形式：TO-220、TO-220F，引腳功能統(tǒng)一定義如下：
| Pin 引腳號 | Function 引腳功能 |
|---|---|
| 1 | Gate 柵極 (G) |
| 2 | Drain 漏極 (D) |
| 3 | Source 源極 (S) |
器件內部集成體二極管，標準N溝道MOSFET電路結構，支持常規(guī)開關電源、適配器等電路應用。
| Part Number 產品型號 | Package 封裝形式 | Brand 品牌 |
|---|---|---|
| KNF4590A | TO-220F | KIA |
| KNP4590A | TO-220 | KIA |
(TC=25℃ unless otherwise noted 除特別說明外，殼溫均為25℃)
| Parameter 參數 | Symbol 符號 | Rating 額定值 | Units 單位 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| TO-220F | TO-220 | ||||
| Drain-source voltage 漏源電壓 | VDSS | 900 | V | ||
| Gate-to-Source Voltage 柵源電壓 | VGSS | ±30 | V | ||
| Continuous drain current 連續(xù)漏極電流 | ID | 6 | A | ||
| Pulsed Drain Current at VGS=10V 脈沖漏極電流 | IDM | 24 | A | ||
| Single pulse avalanche energy 單脈沖雪崩能量 | EAS | 700 | mJ | ||
| Power dissipation 功耗 | TC=25℃ | PD | 45 | 120 | W |
| Derate above 25℃ 25℃以上降額 | 0.29 | 0.96 | W/℃ | ||
| Soldering Temperature (Distance of 1.6mm from case for 10 seconds) 焊接溫度（距殼體1.6mm，10秒） | TL | 300 | ℃ | ||
| Operating junction and storage temperature range 工作與存儲溫度范圍 | TJ,TSTG | -55 to 150 | ℃ | ||
Caution: Stresses greater than those listed in the "Absolute Maximum Ratings" may cause permanent damage to the device. 注意：超過上述絕對最大額定值可能導致器件永久損壞。
| Parameter 參數 | Symbol 符號 | Rating 額定值 | Unit 單位 | |
|---|---|---|---|---|
| TO-220F | TO-220 | |||
| Thermal resistance junction-case 結-殼體熱阻 | RθJC | 2.78 | 1.04 | ℃/W |
| Thermal Resistance, Junction-to-Ambient 結-環(huán)境熱阻 | RθJA | 100 | 62 | ℃/W |
(TJ=25℃ unless otherwise noted 除特別說明外，結溫均為25℃)
| Parameter 參數 | Symbol 符號 | Test Conditions 測試條件 | Min 最小值 | Typ 典型值 | Max 最大值 | Units 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Drain-source breakdown voltage 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 900 | - | - | V |
| Drain-source leakage current 漏源漏電流 | IDSS | VDS=900V, VGS=0V | - | - | 1 | uA |
| VDS=720V, TJ=125℃ | - | - | 100 | uA | ||
| Gate-source forward leakage 柵源正向漏電流 | IGSS | VGS=±30V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| Drain-source on-resistance 漏源導通電阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=3A | - | 1.6 | 2.0 | Ω |
| Gate threshold voltage 柵極閾值電壓 | VGS(TH) | VDS=VGS, ID=250uA | 3.0 | - | 5.0 | V |
| Forward Transconductance 正向跨導 | gfs | VDS=15V, ID=3A | - | 8.0 | - | S |
| Input capacitance 輸入電容 | Ciss | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz | - | 1462 | - | pF |
| Reverse transfer capacitance 反向傳輸電容 | Crss | - | 24 | - | ||
| Output capacitance 輸出電容 | Coss | - | 132 | - | ||
| Total gate charge(10V) 總柵極電荷 | Qg | VDD=450V, ID=6A, VGS=0~10V | - | 38 | - | nC |
| Gate-source charge 柵源電荷 | Qgs | - | 8.1 | - | ||
| Gate-drain charge 柵漏電荷 | Qgd | - | 15 | - | ||
| Turn-on delay time 開通延遲時間 | td(on) | VDD=450V, VGS=10V, RG=9.1Ω, ID=6A | - | 23 | - | ns |
| Rise time 上升時間 | tr | - | 46 | - | ||
| Turn-off delay time 關斷延遲時間 | td(off) | - | 32 | - | ||
| Fall time 下降時間 | tf | - | 38 | - | ||
| Continuous Source Current 連續(xù)源極電流 | ISD | Integral PN-diode in MOSFET | - | - | 6 | A |
| Pulsed Source Current 脈沖源極電流 | ISM | - | - | 24 | A | |
| Diode forward voltage 二極管正向電壓 | VSD | IS=6A, VGS=0V | - | - | 1.5 | V |
| Reverse Recovery Time 反向恢復時間 | trr | VGS=0V, IS=IS, dlF/dt=100A/μs | - | - | 390 | nS |
| Reverse Recovery Charge 反向恢復電荷 | Qrr | - | 1.4 | - | nC |
Note 備注:
1) TJ=+25℃ to +150℃
2) Pulse width≤380us; duty cycles≤2% 脈沖測試：脈沖寬度≤380us，占空比≤2%
本產品完整特性測試包含以下項目，對應特性曲線說明如下：
本產品完整測試電路與波形包含以下項目：
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術支持
免責聲明：網站部分圖文來源其它出處，如有侵權請聯系刪除。
