80n04參數,80n04d,40v80a mos管,KNG3404D現貨-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2026-04-09
漏源擊穿電壓（VDSS）：40V
連續漏極電流（ID）：80A
脈沖漏極電流（IDM）：150A至320A
導通電阻（RDS(on））：3.4 mΩ至8.0mΩ
柵源電壓（VGS）：±20V
功率耗散（PD）：52.1W至300W（不同封裝與散熱條件）
封裝形式包括：TO-220/263/252 、DFN3*3，應用于鋰電池保護板、同步降壓轉換器、電機驅動、電源管理電路。
優質原廠特價現貨KNG3404D可代換80n04場效應管應用，3404場效應管漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A，采用先進的溝槽技術制造，極低導通電阻RDS(開啟) 4.4mΩ，最大限度地減少導電損耗，降低功耗、提升效率；具有良好的穩定性及抗沖擊能力，低Crss、改進的dv/dt能力、快速切換、經過100%雪崩測試，高效穩定可靠；廣泛應用于PWM應用程序、電源管理、負載開關等；封裝形式：DFN3*3。
詳細參數：
漏源電壓：40V
漏極電流：80A
導通電阻：4.4mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：320A
單脈沖雪崩能量：104MJ
功率耗散：36.7W
閾值電壓：1.5V
總柵極電荷：58nC
輸入電容：3045PF
輸出電容：388PF
反向傳輸電容：234PF
開通延遲時間：6nS
關斷延遲時間：23nS
上升時間：17ns
下降時間：12ns
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術支持
免責聲明：網站部分圖文來源其它出處，如有侵權請聯系刪除。
