過流保護電路原理圖,工作原理詳解-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-10-29
過電流保護是電流超過預定最大值時的電流保護裝置動作。當流過被保護原件的電流超過預設值時，保護裝置動作，并利用定時來保證動作的選擇性，使斷路器跳閘或發出報警信號。
許多電子設備都有額定電流。一旦設備超過額定電流，就會燒壞設備。因此，這些設備都做了一個電流保護模塊，當電流超過設定電流時，設備自動斷電保護設備，這就是過流保護。
分立元器件搭建的保護電路
電路一
原理：首先左側CRTL-LOAD是單片機輸出開啟負載的控制端。CRTL-LOAD輸出高電平，Q2打開，負載LOAD-IN接入。負載正常的情況下電路不會有異樣，但是當負載突然變大(短路或者接錯負載情況下)時，保護電路開始起作用。
過載保護部分的電路，即Q1、R3、R4、R5組成部分。Q1是常規的硅管，導通壓降大致在0.7V，上圖中在不接任何負載的情況下，Q1的基極電位可以計算出：
VQ1b=(R3+R4)/(R3+R4+R5)*5≈0.314V
因為當負載接入時，會在R3上產生壓降，從而推動Q1基極電位增大，我們默認理想情況下0.7V時，三極管Q1會動作，由此理論上可以計算出接入多大負載電路會關斷：
Ib=(0.7-VQ1b)/R3=0.386V/10=0.0386A=38.6mA
即理論上此電路最多可以接入38.6mA的負載，超過38.6mA之后，由于負載增大，導致Q1基極電位增大超過三極管理論開啟電壓0.7V導致Q1導通，從而拉低Q2基極，導致Q2關斷，最終切斷后面的大負載起到過流保護的作用。
器件選取注意：
R3要注意其精度以及封裝，根據需要的功耗選擇合適的封裝，避免小封裝對應大功耗導致器件過熱。
Q2根據負載要求留有一定余量。
電路二
原理：在電源輸入端串一個采樣電阻到PMOS的源極S，那么這個采樣電阻就會有電壓差，三極管的be并到這個電阻，當壓差大于Vbe時，Vgs就0了，PMOS關閉，實現過流保護。
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