電感的升壓、降壓原理圖文分析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-09-03
FET為ON時的電路圖
在FET為ON的時間里，L積蓄電流能的同時為輸出供電。虛線表示的電流路徑雖是微小的漏電流，但會使輕負(fù)載的效率變差。
FET為OFF時的電路圖
在FET為OFF時，L要保持OFF前的電流值，使SBD為ON。此時，由于線圈的左端被強(qiáng)制性地降到0V以下，VOUT的電壓下降，即降壓電路原理。
由此，F(xiàn)ET的ON時間長L里積蓄的電流能越大，越能獲得大功率電源，降壓的幅度越小。
降壓時，由于FET為ON時也要給輸出供電，所以不需要限制占空比的最大值。
降壓式DC/DC 變換器基本工作原理電路如圖所示。VT1為開關(guān)管，當(dāng)VT1導(dǎo)通時，輸入電壓Vi通過電感L1向負(fù)載RL供電，與此同時也向電容 C2充電。在這個過程中，電容C2 及電感L1中儲存能量。
當(dāng)VT1截止時，由儲存在電感LI 中的能量繼續(xù)向RL供電，當(dāng)輸出電壓要下降時，電容C2中的能量也向RL放電，維持輸出電壓不變。二極管VD1為續(xù)流二極管，以便構(gòu)成電路回路。
輸出的電壓Vo經(jīng)R1和R2 組成的分壓器分壓，把輸出電壓的信號反饋至控制電路，由控制電路來控制開關(guān)管的導(dǎo)通及截止時間，使輸出電壓保持不變。
控制電路和VTI，VDI是一體的都是RT8024
FET為ON時的電路圖
在FET為ON的時間里在L積蓄電流能。虛線表示的電流路徑雖是微小的漏電流，但會使輕負(fù)載的效率變差。
FET為OFF時的電路圖
在FET為OFF時，L 要保持OFF前的電流值，相當(dāng)于在輸入回路增加了一個“電源”。
由于線圈的左端被強(qiáng)制性固定于VIN，因此輸出VOUT的電壓要大于VIN, 即升壓電路原理。由此，F(xiàn)ET的ON時間越長(FET的觸發(fā)占空比D越大)，L里積蓄的電流能越大，越能獲得電源功率，于是升壓就越高。
但是，F(xiàn)ET 的ON時間太長的話，給輸出側(cè)供電的時間就極為短暫，F(xiàn)ET為ON時的損失也就增大，變換效率變差。因此，通常要限制占空比的最大值，不超過適宜的占空比D。
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