什么是場效應管的夾斷電壓-夾斷電壓的作用及測試-KIA MOS管

什么是場效應管的夾斷電壓和開啟電壓?

概念:場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。由多數載流子參與導電,也稱為單極型晶體管.它屬于電壓控制型半導體器件。

特點:具有輸入電阻高（100000000～1000000000Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點。

Up — 夾斷電壓.是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,使漏源間剛截止時的柵極電壓。

Ut — 開啟電壓.是指增強型絕緣柵場效管中,使漏源間剛導通時的柵極電壓。

場效應管是靠叫做“導電溝道”的機制導電的，通俗的講，該溝道越寬，導電能力越強（即電阻越小），寬度為0，則不導電。有兩種類型的場效應管：增強型和耗盡型。增強型的在柵源電壓小于一定值時是沒有導電溝道的（寬度為0），大于該值時才導電，這就是開啟電壓。耗盡型的在柵源電壓=0時就已經存在非0寬度的導電溝道，而隨著柵源電壓的降低，溝道寬度越來越小，當溝道寬度=0時對應的柵源電壓就稱為夾斷電圧。

場效應管夾斷電壓的作用及測試

1.夾斷電壓Vp是場效應管的重要參數

場效應管夾斷電壓：夾斷電壓[1]是指結型場效應管在漏源電壓UDS為某一固定數值時，使漏極電流iD接近于零（常取iD=50μA)的柵源電壓。為了說明Vp參數的重要性，下面對場效應管工作區域的特點做簡單的分析。

場效應管夾斷電壓

1.1 飽和區是場效應管常用的工作區域

圖1是結型場效應管的輸出特性曲線，它反映的是以柵源電壓UGS為參變量，漏極電流與漏源電壓uDs之間的關系，其函數關系為iD=f(uDs)|uGS=常數，由圖1可以看出，場效應管的工作情況可分為三個區域。

1.1.1 可變電阻區

可變電阻區是指特性曲線AO虛線以左的區域，它表示管子導電溝道在預夾斷以前，漏源電壓和漏極電流之間的關系。工作在此區域內的結型場效應管可看作一個由電壓控制的可變電阻。

1.1.2 飽和區

飽和區又稱恒流區或線性區，是虛線AO與虛線CB之間的區域，它反映的是場效應管在預夾斷到全夾斷過程中，漏極電流和柵源電壓、漏源電壓之間的關系。其特點是iD只受uGs的控制而幾乎與uDs無關，具有恒流特性，是場效應管作為放大器件使用時的工作區域。

1.1.3 擊穿區

擊穿區是指CB虛線以右的區域，它表明當UDS增加到某值時，柵漏極間的PN結發生反向擊穿，使電流iD隨uDs增加而劇增，場效應管失去正常工作狀態，是應當禁止出現的區域。上面分析了場效應管三個區域的特點，在一般情況下，場效應管都作為放大器件使用，所以必須保證場效應管可靠地工作在飽和區，以達到用uGs控制iD的效果。

1.2 可變電阻區與飽和區的分界

由圖1可知，場效應管的可變電阻區與飽和區之間是連續變化的過程，中間沒有斷點。為了劃分它們之間的界線，在實際運用中，引入“預夾斷”[2]的概念，就是從預夾斷點以后到全夾斷的過程就是飽和區。也就是說“預夾斷點”就是可變電阻區與飽和區的分界點。根據場效應管的工作原理，當管子進入預夾斷狀態時uGs、uDs、Vp之間有如下關系uDs=uGs-Vp.知道uDS和uGs.由此式即可確定預夾斷點電壓。

2.測試方法

場效應管夾斷電壓：測試原理描述-圖2是一個測量場效應管夾斷電壓的原理圖。根據場效應管轉移特性曲線iD=f(uGs)|uGS=常數，先將漏源之間的電壓uDs固定為某一個數值，然后改變柵極電壓uGs.記下與之相對應的iD數值。當改變uGs.使iD接近零時，此時的uGs電壓就是夾斷電壓Vp.對于N溝道器件，Vp是負值；對P溝道器件，Vp是正值。如果把uGs與iD的對應關系在坐標紙上描繪出來，就是場效管的特性曲線。

場效應管夾斷電壓