KIA35P10AD場效應管采用先進的溝槽MOSFET技術,在電機控制和驅動、電池管理、U...KIA35P10AD場效應管采用先進的溝槽MOSFET技術,在電機控制和驅動、電池管理、UPS不間斷電源中熱銷,漏源擊穿電壓-100V, 漏極電流-35A ,RDS(ON)值為32mΩ,提供...
KNB3308B是一款10-16串保護板專用MOS管,漏源擊穿電壓80V,漏極電流80A,RDS(...KNB3308B是一款10-16串保護板專用MOS管,漏源擊穿電壓80V,漏極電流80A,RDS(ON)值僅為7.2mΩ,低導通電阻最大限度地減少導電損耗,最小化開關損耗,確保鋰電池...
KNB3208A場效應管漏源擊穿電壓85V,漏極電流100A,RDS(ON),typ.=6.5mΩ@VGS=1...KNB3208A場效應管漏源擊穿電壓85V,漏極電流100A,RDS(ON),typ.=6.5mΩ@VGS=10V,采用專有新溝槽技術,超低??電阻減少導電損耗,最小化開關損耗;低門電荷、快...
KNB3306B場效應管漏源擊穿電壓68V,漏極電流80A,是一款7-10串保護板專用MOS管...KNB3306B場效應管漏源擊穿電壓68V,漏極電流80A,是一款7-10串保護板專用MOS管,RDS(on)=7mΩ@VGS=10V,低導通電阻,最大限度地減少導電損耗,最小化開關損耗;開...
KND3204A場效應管采用專有新型溝槽技術,漏源電壓40V,漏極電流100A,是鋰電池...KND3204A場效應管采用專有新型溝槽技術,漏源電壓40V,漏極電流100A,是鋰電池保護板專用MOS管,RDS(ON),典型值=VGS=10V時為4mΩ(典型值),極低導通電阻減少...
KND3502A場效應管采用先進的溝槽技術,漏源擊穿電壓20V,漏極電流70A,RDS(on)...KND3502A場效應管采用先進的溝槽技術,漏源擊穿電壓20V,漏極電流70A,RDS(on)=7mΩ(typ.) @ VDS=4.5V,?提供卓越的RDS(ON)、低柵極電荷和柵極電壓低至2.5V,具有...