超級(jí)結(jié)MOSFET和SiC二極管的不斷發(fā)展給設(shè)計(jì)人員在優(yōu)化成本敏感的功率變換應(yīng)用的...超級(jí)結(jié)MOSFET和SiC二極管的不斷發(fā)展給設(shè)計(jì)人員在優(yōu)化成本敏感的功率變換應(yīng)用的性能和效率帶來(lái)了更多的自由。電源設(shè)計(jì)要求效率增益及更多其他要求 為了繼續(xù)...
mos管參考選型表mos管參考選型表
1． 負(fù)載電流IL。它直接決議于MOSFET的輸出才能； 2． 輸入—輸出電壓。它受...1． 負(fù)載電流IL。它直接決議于MOSFET的輸出才能； 2． 輸入—輸出電壓。它受MOSFET負(fù)載占空比才能限制； 3． 開(kāi)關(guān)頻率FS。這個(gè)參數(shù)影響MOSFET開(kāi)關(guān)霎時(shí)的耗散...
本次內(nèi)容主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假定芯片耗費(fèi)的電流為2mA，30...本次內(nèi)容主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假定芯片耗費(fèi)的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當(dāng)然會(huì)惹起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的最大電...
MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者...MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是能夠?qū)φ{(diào)的，他們都...
(1)可以快速恢復(fù)，以滿(mǎn)足越來(lái)越高的速度需求。以開(kāi)戰(zhàn)電源為例，采用雙極型晶體...(1)可以快速恢復(fù)，以滿(mǎn)足越來(lái)越高的速度需求。以開(kāi)戰(zhàn)電源為例，采用雙極型晶體管n寸-速度能夠到達(dá)幾十千赫茲；運(yùn)用MOSFET和ICBT時(shí)，速度能夠到達(dá)幾百千赫茲；而采...
