KIA封裝小型化的趨向小僅僅是為了順應輕薄產品的需求，更為重要的是進步性價比...KIA封裝小型化的趨向小僅僅是為了順應輕薄產品的需求，更為重要的是進步性價比：封裝本錢、物流（重量輕了、體積小了）、熱阻、EMI（引線電感減小了）均有降落的趨...
槽柵構造有利于進步電流控制才能，但是結電容大，不利于工作頻率的提高。將平而...槽柵構造有利于進步電流控制才能，但是結電容大，不利于工作頻率的提高。將平而柵極構造與雙擴散有機分離起來，就LDMOS(Lateral DoubleDiffuse MOSFET，橫向雙擴散...
常用場效應管主要有結型場效應管、耗盡型絕緣柵場效應管、加強型絕緣柵場效應管...常用場效應管主要有結型場效應管、耗盡型絕緣柵場效應管、加強型絕緣柵場效應管、雙柵場效應管、功率場效應管等。
DGMOSFET（Dual gate MOSFET，雙柵極MOSFET）是一種有兩個柵極的四端器件，兩個...DGMOSFET（Dual gate MOSFET，雙柵極MOSFET）是一種有兩個柵極的四端器件，兩個柵極都可以對溝道進行控制，目的是為了控制的便利性與獨立性，尤其是有兩個控制量的...
MOSFET采用橫向雙擴散結構(IDMOS)來兼顧工作頻率與功率的要求，MESFET則采用肖...MOSFET采用橫向雙擴散結構(IDMOS)來兼顧工作頻率與功率的要求，MESFET則采用肖特基勢壘柵極(Schottky Gate FET)結構（圖1.24）。就PN結的特性而言，與肖特基二極管...
采用DMOS工藝的VMOS最初稱為VDMOS( Vertical Double-diffusedMOSFET，垂直溝道...采用DMOS工藝的VMOS最初稱為VDMOS( Vertical Double-diffusedMOSFET，垂直溝道，雙擴散MOSFET)和VVDMOS( V-groove VerticalDouble-diffused MOSFET,V形槽柵垂直...
