Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找到） Tr：上升時刻。輸...Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找到） Tr：上升時刻。輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時刻 td(on)：MOS導通延遲時刻，從有駛入電壓上升...
向傳輸電容 Crss = CGD . Coss:輸出電容 Coss = CDS +CGD . Ciss:輸入電容...向傳輸電容 Crss = CGD . Coss:輸出電容 Coss = CDS +CGD . Ciss:輸入電容 Ciss= CGD + CGS ( CDS 短路). Tf :下降時刻.輸出電壓 VDS 從 10% 上升到其幅值 9...
MOS管，即在集成電路中絕緣性場效應管。MOS英文全稱為Metal-Oxide-Semiconduct...MOS管，即在集成電路中絕緣性場效應管。MOS英文全稱為Metal-Oxide-Semiconductor即金屬-氧化物-半導體，確切的說，這個名字描寫了集成電路中MOS管的構造，即：在一...
MOS管功放具有鼓勵功率小，輸出功率大，輸出漏極電流具有負溫度系數(shù)，安全可靠...MOS管功放具有鼓勵功率小，輸出功率大，輸出漏極電流具有負溫度系數(shù)，安全可靠，且有工作頻率高，偏置簡略等長處。 MOS管主驅動電路的輸出端與MOS管的柵極電銜接，...
?N溝MOS晶體管金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-SemIConductor)構造的晶體管簡...?N溝MOS晶體管金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-SemIConductor)構造的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構成的集成電路稱為MOS集成電路，而P...
?MOS管是金屬（metal）-氧化物（oxid）-半導體（semiconductor）場效應晶體管...?MOS管是金屬（metal）-氧化物（oxid）-半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬-絕緣體（insulator）-半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他...
