驅(qū)動(dòng)電壓10V，驅(qū)動(dòng)信號(hào)為PWM波，占空比為50%，頻率為1Mhz，寄生電感10nH，MOS管...驅(qū)動(dòng)電壓10V，驅(qū)動(dòng)信號(hào)為PWM波，占空比為50%，頻率為1Mhz，寄生電感10nH，MOS管寄生電容為1nF，柵極串聯(lián)電阻為20Ω，這個(gè)電阻消耗的功率是多大？
由于換能器發(fā)出的超聲波前輻射面聲壓同施加電壓對(duì)時(shí)間的導(dǎo)數(shù)dU/dt成正比，盡量...由于換能器發(fā)出的超聲波前輻射面聲壓同施加電壓對(duì)時(shí)間的導(dǎo)數(shù)dU/dt成正比，盡量縮短激勵(lì)脈沖上升時(shí)間至關(guān)重要。激勵(lì)脈沖的上升時(shí)間主要取決于MOS管的導(dǎo)通速度。
過(guò)沖和下沖原理是一樣的，這里以過(guò)沖為例子分析。上面mos管打開的瞬間，可以等...過(guò)沖和下沖原理是一樣的，這里以過(guò)沖為例子分析。上面mos管打開的瞬間，可以等效為上圖開關(guān)閉合的瞬間。可以理解給了一個(gè)階躍信號(hào)，因此電壓過(guò)沖是該RCL電路對(duì)階躍...
在推挽式驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)中，當(dāng)互補(bǔ)MOSFET開啟時(shí)，正常情況下漏極電壓會(huì)升至直流電源電...在推挽式驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)中，當(dāng)互補(bǔ)MOSFET開啟時(shí)，正常情況下漏極電壓會(huì)升至直流電源電壓的兩倍(或者本例中的30V)。然而，如圖1所示，尖峰電壓卻高達(dá)54V。在MOSFET關(guān)閉以...
為了降低開關(guān)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生的尖峰電壓，可考慮增加RC緩沖電路。在下面的示例中，整流...為了降低開關(guān)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生的尖峰電壓，可考慮增加RC緩沖電路。在下面的示例中，整流二極管關(guān)斷（高邊開關(guān)導(dǎo)通）時(shí)，RC緩沖電路可將二極管的接合部、寄生電感、寄生電容...
保證開關(guān)管在開、關(guān)過(guò)程中du/dt、di/dt足夠小，限制開關(guān)管上的電壓或電流峰值，...保證開關(guān)管在開、關(guān)過(guò)程中du/dt、di/dt足夠小，限制開關(guān)管上的電壓或電流峰值，從而保證開關(guān)管正確可靠地運(yùn)行；并降低EMI的水平。
