KIA半導體推出碳化硅二極管（SiC diode）
信息來源：KIA半導體 日期：2016-03-19
為了滿足嚴格的最新效率規(guī)范（能源之星、80Plus、歐洲能源效率）的要求，電源設計者必須考慮使用新型功率轉(zhuǎn)換器拓撲和效率更高的電子元件，例如高壓碳化硅（SiC）二極管。
KIA半導體的SiC二極管利用了碳化硅出色的物理特性，其動態(tài)反向恢復特性比硅好4倍、正向?qū)妷篤F比它低15%。
在硬開關(guān)應用中，比如高端服務器和通訊電源，SiC肖特基二極管大幅降低了功率損耗，并且得到了廣泛使用。它們還越來越多地被應用到太陽能逆變器、電機驅(qū)動器、不間斷電源（UPS）和電動車（EV）之中。
KIA半導體推出了全套SiC二極管，其電壓范圍為600 ~ 1700 V。這些產(chǎn)品提供多種封裝選項，讓設計者能夠靈活提高效率和可靠性，加快產(chǎn)品面市步伐，削減成本。
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