原裝KIA品牌mos管 6035 KIA6035 11A350V PDF文件下載-KIA 官網
信息來源：本站 日期：2018-02-12
這是功率MOSFET采用起亞`平面條形DMOS工藝生產的先進。這先進的技術已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優越的。開關性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適用于高效率開關電源，有源功率因數校正。基于半橋拓撲。
特征
RDS（ON）= 0.38Ω@ VGS = 10v
低柵極電荷（典型的15nc）
高耐用性
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
參數
產品型號：KIA6035
工作方式：11A/350V
漏源電壓：350V
柵源電壓：±20V
漏電流連續：11A
脈沖漏極電流：36A
雪崩電流：9.91mJ
雪崩能量：423mJ
耗散功率：99W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：350V
溫度系數：0.35V/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：844 PF
輸出電容：162 PF
上升時間：23.5 ns
封裝形式：TO-252、TO-220
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KIA6035/AD/AP |
| 產品編號 | KIA6035(11A 350V） |
| FET極性 | N溝道MOSFET |
| 產品工藝 |
這是功率MOSFET采用起亞`平面條形DMOS工藝生產的先進。這先進的技術已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優越的。開關性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。 |
| 產品特征 |
RDS（ON）= 0.38Ω@ VGS = 10v 低柵極電荷（典型的15nc） 高耐用性 快速切換的能力 雪崩能量 改進的dt／dt能力 |
| 適用范圍 |
主要適用于高效率開關電源，有源功率因數校正，基于半橋拓撲 |
| 封裝形式 | TO-252、TO-220 |
| PDF文件 |
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| LOGO |
 |
| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網址 | www.04020b.com |
| PDF總頁數 | 總5頁 |
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