7N65現貨供應商 KIA7N65 7A/650V KIA7N65 PDF文件下載-KIA 官網
信息來源：本站 日期：2018-01-31
功率MOSFET是用起亞半先進的平面條形DMOS工藝生產。這種先進的技術特別適合于最小化狀態電阻，提供優越性。開關性能，并承受高能量脈沖在雪崩和減刑模式。非常適用于高效率開關電源，有源功率因數校正/基于半橋拓撲。
KIA7N65特征
RDS(on) =1.2@? VGS=10V
低柵極電荷（典型的29nc）
高耐用性
快速切換
100%雪崩測試
改進的dt／dt能力
產品型號：KIA7N65
工作方式：7A/650V
漏源電壓：650V
柵源電壓：±30V
漏電流連續：7.0A
脈沖漏極電流：28A
雪崩能量：230mJ
耗散功率：147W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：650V
溫度系數：0.7V/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：1000 PF
輸出電容：110 PF
上升時間：50 ns
封裝形式：TO-220、TO-220F、TO-263
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KIA7N65（7A/650V） |
| 產品編號 | KIA7N65/HB/HF |
| FET極性 | N溝道MOSFET |
| 產品工藝 |
功率MOSFET是用起亞半先進的平面條形DMOS工藝生產。這種先進的技術特別適合于最小化狀態電阻，提供優越性。開關性能，并承受高能量脈沖在雪崩和減刑模式。非常適用于高效率開關電源，有源功率因數校正/基于半橋拓撲。 |
| 產品特征 |
RDS(on) =1.2@? VGS=10V 低柵極電荷（典型的29nc） 高耐用性 快速切換 100%雪崩測試 改進的dt／dt能力 |
| 適用范圍 |
主要適用于高效率開關電源，有源功率因數校正/基于半橋拓撲。 |
| 封裝形式 | TO-220、TO-220F、TO-263 |
| PDF文件 |
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| LOGO |
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| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網址 | www.04020b.com |
| PDF總頁數 | 總5頁 |
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