KIA3004B 40V/120A MOSFET｜DFN5*6 封裝 超低內阻大電流管
信息來源：本站 日期：2026-05-07
| 工藝技術 | Advanced Trench technology（先進溝槽工藝） |
| 導通電阻(RDS(ON)) | 典型值2.4mΩ @ VGS=10V，最大值3.2mΩ |
| 柵極電荷特性 | Super Low Gate Charge（超低柵極電荷） |
| 環保特性 | Green Device Available（綠色環保器件） |
| EMI性能 | Excellent CdV/dt effect decline（出色的CdV/dt效應抑制） |
| 可靠性測試 | 100% ΔVds TESTED（100%電壓變化測試）、100% UIS TESTED（100%非鉗位感性開關測試） |
| 引腳號 | 功能定義 |
|---|---|
| 4 | Gate（柵極） |
| 5, 6, 7, 8 | Drain（漏極） |
| 1, 2, 3 | Source（源極） |
KIA3004B（KNY3004B）是一款采用先進溝槽工藝制造的**40V 120A 超低內阻N溝道MOSFET**，DFN5×6小型化大功率封裝，具備超低導通電阻、超低柵極電荷、超強散熱能力，專為大電流、高密度、高效率電源系統設計。
產品完美解決大電流設備發熱高、內阻大、體積受限、效率不足等痛點，廣泛用于動力電池保護、大功率電機驅動、快充電源、無人機、儲能模塊等高要求場景，性能對標國際一線品牌，是大電流低壓MOS的優選方案。
1. 40V耐壓 + 120A超大電流，滿足大功率大電流需求
2.超低導通電阻，典型值2.4mΩ，最大僅3.2mΩ
3. 超低柵極電荷，開關速度快、損耗極低
4.DFN5×6超薄封裝，體積小、散熱強、密度高
5. 100%通過UIS雪崩測試，可靠性拉
6. 優異dv/dt抑制能力，EMI性能更強
7. 工作溫度-55℃~150℃，工業級高穩定
8.綠色環保器件，符合行業標準
| 品牌 | 競品型號 | 規格匹配 | 封裝 |
|---|---|---|---|
| 英飛凌 | BSC010N04LS | 40V 120A N溝道 | DFN5×6 |
| 安森美 | FDMS0304S | 40V 120A N溝道 | DFN5×6 |
| 威世 | SiS410DN | 40V 120A N溝道 | DFN5×6 |
| 東芝 | TPN1R404 | 40V 120A N溝道 | DFN5×6 |
| 士蘭微 | SVF120N04D | 40V 120A N溝道 | DFN5×6 |
| 新潔能 | NCE3004BG | 40V 120A N溝道 | DFN5×6 |
| 華之鵬 | HP3004B | 40V 120A N溝道 | DFN5×6 |
| 揚杰 | YJ120N04D | 40V 120A N溝道 | DFN5×6 |
| 參數 | KIA3004B | 國際品牌競品 | 國內品牌競品 |
|---|---|---|---|
| 耐壓 Vdss | 40V | 40V | 40V |
| 連續電流 Id | 120A | 100~120A | 100~120A |
| 導通電阻 | 2.4mΩ(典型) | 2.5~3.5mΩ | 2.8~4.0mΩ |
| 封裝 | DFN5×6 | DFN5×6 | DFN5×6 |
| 柵極電荷 | 110nC | 115~130nC | 120~140nC |
| 優勢 | 內阻更低、發熱更小、一致性更好 | 價格昂貴、交期不穩定 | 內阻偏高、可靠性一般 |
| 完整型號 | 封裝 | 適用場景 |
|---|---|---|
| KNY3004B | DFN5×6 | 大電流電源、電池保護、電機驅動、快充、無人機 |
| 動力電池保護板 |
| 大功率快充電源 & 移動電源 |
| 無人機動力系統 & 航模電調 |
| 直流電機驅動 / 無刷電機控制 |
| 儲能設備、大電流負載開關 |
| 小型化高密度電源模塊 |
| 型號 | 封裝 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNY3004B | DFN5*6 | KIA |
| 參數 | 符號 | 規格 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓 (VGS=0V) | VDS | 40 | V |
| 柵源電壓 (VDS=0V) | VGS | ±20 | V |
| 連續漏極電流 | ID | 120 (Tc=25℃) | A |
| 77 (Tc=100℃) | A | ||
| 脈沖漏極電流 | IDM | 480 | A |
| 總耗散功率 (Tc=25℃) | PD | 88.2 | W |
| 雪崩能量 | EAS | 361 | mJ |
| 工作與存儲溫度范圍 | TJ & TSTG | -55 ~ +150 | ℃ |
| 參數 | 符號 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 結-殼熱阻 | RθJC | 1.7 | ℃/W |
| 參數類別 | 參數名稱 | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 關斷特性 | 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 40 | - | - | V |
| 漏源漏電流 | IDSS | VDS=40V, VGS=0V | - | - | 1 | μA | |
| 柵源漏電流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA | |
| 導通特性 | 柵極閾值電壓 | VGS(th) | VGS=VDS, ID=250μA | 1.0 | 1.6 | 2.5 | V |
| 靜態漏源導通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=30A | - | 2.4 | 3.2 | mΩ | |
| VGS=4.5V, ID=20A | - | 3.0 | 4.2 | mΩ | |||
| 動態特性 | 柵極電阻 | Rg | VDS=0V, VGS=0V, f=1.0MHz | - | 1.4 | - | Ω |
| 輸入電容 | Ciss | VDS=20V, VGS=0V, f=1.0MHz | - | 5020 | - | pF | |
| 輸出電容 | Coss | - | 415 | - | pF | ||
| 反向傳輸電容 | Crss | - | 350 | - | pF | ||
| 開關特性 | 開通延遲時間 | td(on) | VDS=20V, VGS=10V, RG=2.0Ω, ID=30A | - | 13 | - | ns |
| 上升時間 | tr | - | 15 | - | ns | ||
| 關斷延遲時間 | td(off) | - | 48 | - | ns | ||
| 下降時間 | tf | - | 20 | - | ns | ||
| 柵極電荷特性 | 總柵極電荷 | Qg | VDS=20V, VGS=10V, ID=30A | - | 110 | - | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | - | 8.2 | - | nC | ||
| 柵漏電荷 | Qgd | - | 26 | - | nC | ||
| 體二極管特性 | 連續源極電流 | ISD | - | - | - | 120 | A |
| 二極管正向壓降 | VSD | VGS=0V, ISD=30A, Tj=25℃ | - | - | 1.2 | V | |
| 反向恢復時間 | trr | Tj=25℃, IF=30A, diF/dt=100A/μs | - | 42 | - | ns | |
| 反向恢復電荷 | Qrr | - | 46 | - | nC | ||
| 固有開通時間 | ton | - | Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS + LD) | - | - | - | - |
注：以上數據基于TA=25℃條件，完整特性曲線、測試電路及波形請參考原廠數據手冊。
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
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QQ：2880195519（技術群，也可以加這個qq）
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
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