KNM61100A TO-247 封裝｜高壓電源專用 N 溝道 MOSFET 原廠直供
信息來源：本站 日期：2026-05-07
| 環保合規 | RoHS Compliant（符合RoHS標準） |
| 導通電阻(RDS(ON)) | 典型值1.0Ω @ VGS=10V，最大值1.25Ω |
| 柵極電荷特性 | 低柵極電荷，降低開關損耗 |
| 體二極管特性 | Fast Recovery Body Diode（快恢復體二極管） |
| 適配器/電源適配器 | Adaptor |
| 充電器 | Charger |
| 開關電源待機電源 | SMPS Standby Power |
KIA61100A（KNM61100A）是一款高性能 10A / 1000V N溝道高壓功率MOSFET，采用高壓平面工藝打造，具備超低導通損耗、低柵極電荷、快恢復體二極管、高雪崩能量等核心優勢，專為高壓開關電源、適配器、充電器、待機電源等場景設計。
產品具備工業級高可靠性，工作溫度范圍寬，耐壓穩定、損耗低，完美替代國際品牌及國內同規格競品，在高壓電源系統中實現更高效率、更低發熱、更強穩定性。
1. 1000V超高耐壓，滿足各類高壓電源系統需求
2. 10A連續工作電流，脈沖電流可達40A，帶載能力強
3.超低導通電阻，典型值1.0Ω，開關損耗更低
4.低柵極電荷，提升開關速度與系統轉換效率
5. 內置快恢復體二極管，抗沖擊、抗干擾能力優異
6.TO-247標準大功率封裝，散熱性能出色
7. 工作溫度 -55℃ ~ +150℃，滿足工業級嚴苛環境
8.符合RoHS環保標準，綠色安全可靠
| 品牌 | 競品型號 | 規格匹配 | 封裝 |
|---|---|---|---|
| 英飛凌 | SPA11N100 | 10A 1000V N溝道 | TO-247 |
| 意法半導體 | STP10NK100Z | 10A 1000V N溝道 | TO-247 |
| 安森美 | NTNL10N100 | 10A 1000V N溝道 | TO-247 |
| 威世 | SiHF10N100 | 10A 1000V N溝道 | TO-247 |
| 東芝 | TK10A100 | 10A 1000V N溝道 | TO-247 |
| 士蘭微 | SVF10N100 | 10A 1000V N溝道 | TO-247 |
| 新潔能 | NCE10TD100 | 10A 1000V N溝道 | TO-247 |
| 華微 | HM10N100 | 10A 1000V N溝道 | TO-247 |
| 揚杰 | YJ10N100 | 10A 1000V N溝道 | TO-247 |
| 參數 | KIA61100A | 國際品牌競品 | 國內品牌競品 |
|---|---|---|---|
| 耐壓(Vdss) | 1000V | 1000V | 1000V |
| 連續電流(Id) | 10A | 10A | 10A |
| 導通電阻 | 1.0Ω (典型) | 1.1~1.4Ω | 1.2~1.5Ω |
| 總柵極電荷 | 71nC | 75~85nC | 80~95nC |
| 雪崩能量 | 900mJ | 700~850mJ | 600~800mJ |
| 封裝 | TO-247 | TO-247 | TO-247 |
| 優勢 | 更低損耗、更高可靠性、更快恢復 | 價格高、交期長 | 一致性一般、損耗偏高 |
| 完整型號 | 封裝 | 適用場景 |
|---|---|---|
| KNM61100A | TO-247 | 高壓開關電源、適配器、充電器、工業電源 |
| 高壓AC-DC開關電源 |
| 電源適配器 & 充電器 |
| 開關電源待機電源 |
| 工業控制高壓驅動 |
| LED驅動電源、通信電源 |
| 引腳號 | 功能定義 |
|---|---|
| 1 | Gate（柵極） |
| 2 | Drain（漏極） |
| 3 | Source（源極） |
| 型號 | 封裝 | 品牌 |
|---|---|---|
| KNM61100A | TO-247 | KIA |
| 參數 | 符號 | 規格 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDSS | 1000 | V |
| 柵源電壓 | VGSS | ±30 | V |
| 連續漏極電流 | ID | 10 | A |
| 脈沖漏極電流 (VGS=10V) | IDM | 40 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 900 | mJ |
| 耗散功率 | PD | 298 | W |
| 25℃以上降額系數 | - | 2.38 | W/℃ |
| 焊接溫度 (距離外殼1.6mm處10秒) | TL | 300 | ℃ |
| 工作與存儲溫度范圍 | TJ & TSTG | -55 ~ +150 | ℃ |
| 參數 | 符號 | 規格 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 結-殼熱阻 | RθJC | 0.42 | ℃/W |
| 結-環境熱阻 | RθJA | 55 | ℃/W |
| 參數類別 | 參數名稱 | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 關斷特性 | 漏源擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 1000 | - | - | V |
| 漏源漏電流 | IDSS | VDS=1000V/800V, VGS=0V; Tj=25℃/125℃ | - | - | 1/100 | μA | |
| 柵源正向漏電流 | IGSS | VGS=±30V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA | |
| 導通特性 | 靜態漏源導通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=5A | - | 1.0 | 1.25 | Ω |
| 柵極閾值電壓 | VGS(TH) | VDS=VGS, ID=250μA | 2.5 | - | 4.5 | V | |
| 正向跨導 | gfs | VDS=15V, ID=5A | - | 7.0 | - | S | |
| 電容特性 | 輸入電容 | Ciss | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz | - | 2800 | - | pF |
| 反向傳輸電容 | Crss | - | 46 | - | pF | ||
| 輸出電容 | Coss | - | 248 | - | pF | ||
| 柵極電荷特性 | 總柵極電荷 | Qg | VDD=500V, ID=10A, VGS=0~10V | - | 71 | - | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | - | 15 | - | nC | ||
| 柵漏電荷 | Qgd | - | 30 | - | nC | ||
| 開關特性 | 開通延遲時間 | td(on) | VDD=500V, VGS=10V, RG=9.1Ω, ID=10A | - | 46 | - | ns |
| 上升時間 | tr | - | 49 | - | ns | ||
| 關斷延遲時間 | td(off) | - | 58 | - | ns | ||
| 下降時間 | tf | - | 54 | - | ns | ||
| 體二極管特性 | 連續源極電流 | ISD | MOSFET內集成PN二極管 | - | - | 10 | A |
| 脈沖源極電流 | ISM | - | - | 40 | A | ||
| 二極管正向壓降 | VSD | IS=10A, VGS=0V | - | - | 1.5 | V | |
| 反向恢復時間 | trr | VGS=0V, IF=10A, diF/dt=100A/μs | - | 850 | - | ns | |
| 反向恢復電荷 | Qrr | - | 4.4 | - | μC |
注：以上數據基于Tj=25℃條件，完整特性曲線、測試電路及波形請參考原廠數據手冊。
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519（技術群，也可以加這個qq）
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
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