3560A產(chǎn)品參數(shù)

這種高電壓MOSFET采用先進(jìn)的方案，提供增強(qiáng)的電壓。不隨時(shí)間降低性能的阻塞能力。此外，這種先進(jìn)的MOSFET是設(shè)計(jì)能夠承受高能量的雪崩模式。這種新的節(jié)能設(shè)計(jì)還提供了一個(gè)快速恢復(fù)時(shí)間二極管源漏。專為高電壓、高速設(shè)計(jì)開關(guān)電源，轉(zhuǎn)換器和PWM電機(jī)控制中的應(yīng)用程序，這些設(shè)備特別適用于橋式電路，二極管速度和換向安全操作區(qū)域。關(guān)鍵和提供額外的和安全邊際對意外電壓瞬變。

3560A特征

魯棒高壓端接

雪崩能量

源漏二極管恢復(fù)時(shí)間相當(dāng)于分立快恢復(fù)二極管

二極管的特點(diǎn)是用于橋式電路。

高溫下指定的智能決策支持系統(tǒng)

隔離安裝孔減少安裝硬件

3560A產(chǎn)品參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào)：KCX3560A

工作方式：76A.600V

漏電流連續(xù)：76A

漏電流脈沖：225.9A

柵源電壓（連續(xù)）：±20V

耗散功率：595W

漏源擊穿電壓：600V

柵極閾值電壓：2V

輸入電容：6018 PF

輸出電容：245 PF

上升時(shí)間：114.8ns

封裝形式：TO-247

3560產(chǎn)品規(guī)格

	KCX3560A（70A/600V)）
產(chǎn)品編號(hào)	KCX3560A（N溝道MOSFET）
產(chǎn)品工藝	這種高電壓MOSFET采用先進(jìn)的方案，提供增強(qiáng)的電壓。不隨時(shí)間降低性能的阻塞能力。此外，這種先進(jìn)的MOSFET是設(shè)計(jì)能夠承受高能量的雪崩模式。這種新的節(jié)能設(shè)計(jì)還提供了一個(gè)快速恢復(fù)時(shí)間二極管源漏。
產(chǎn)品特征	魯棒高壓端接雪崩能量源漏二極管恢復(fù)時(shí)間相當(dāng)于分立快恢復(fù)二極管二極管的特點(diǎn)是用于橋式電路。高溫下指定的智能決策支持系統(tǒng) 隔離安裝孔減少安裝硬件
適用范圍	專為高電壓、高速設(shè)計(jì)開關(guān)電源，轉(zhuǎn)換器和PWM電機(jī)控制中的應(yīng)用程序，這些設(shè)備特別適用于橋式電路，二極管速度和換向安全操作區(qū)域。關(guān)鍵和提供額外的和安全邊際對意外電壓瞬變。
封裝形式	TO-247等
PDF文件	【直接在線預(yù)覽】
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廠家	KIA原廠家
網(wǎng)址	www.04020b.com
PDF總頁數(shù)	總5頁