7n80場效應(yīng)管參數(shù),7n80c場效應(yīng)管參數(shù)代換-KIA MOS管

7n80場效應(yīng)管參數(shù)引腳圖

KIA7N80場效應(yīng)管是一款性能出色的電子器件，具有極高的可靠性和穩(wěn)定性，7n80漏極電流7A，漏源擊穿電壓800V，RDS(on)僅為1.4Ω@ VGS=10V，柵極電荷低，僅為27nC，快速切換，操作高效，還具備高堅固性，經(jīng)過100%雪崩測試，改進(jìn)的DV/DT功能，進(jìn)一步提升了性能表現(xiàn)。

KIA7N80場效應(yīng)管是一款非常值得信賴的電子元件，大大提升了電路的性能和穩(wěn)定性，為電子設(shè)備提供穩(wěn)定可靠的支持，適用于開關(guān)電源和LED驅(qū)動等領(lǐng)域，7N80封裝形式：TO-220、TO-220F，可代換仙童等品牌型號。

7n80場效應(yīng)管參數(shù),代換

7n80場效應(yīng)管參數(shù)代換詳情

漏源電壓：800V

柵源電壓：±30V

漏電流連續(xù)：7.0A

脈沖漏極電流：28A

雪崩能量：650mJ

耗散功率：167W

熱電阻：62.5℃/W

漏源擊穿電壓：800V

溫度系數(shù)：1V/℃

柵極閾值電壓：3.0V

輸入電容：1300 PF

輸出電容：120 PF

上升時間：100 ns

7n80場效應(yīng)管參數(shù)代換規(guī)格書

7n80場效應(yīng)管參數(shù),代換

KIA7N80場效應(yīng)管是使用先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這項先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過專門定制，可最大限度地減少導(dǎo)通電阻，提供卓越的開關(guān)性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。這些設(shè)備非常適合高效開關(guān)模式電源、基于半橋拓?fù)涞挠性垂β室驍?shù)校正。

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