VMOS的低壓、低飽和導通電阻特性的應用及理論-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2017-08-18
VMOS實驗：工頻同步整流電路
這個電路實踐上很少見，但是關(guān)于入門理論卻比擬適用。
VMOS之所以能成為MOSFET乃至FET的應用主流，主要緣由是低電壓規(guī)格的飽和導通電阻十分低，遠低于二極管的壓降，在低壓大電流的應用中具有無可比較的優(yōu)勢，也是便攜設備的首選，就像木書第l章的圖1.3顯現(xiàn)的那樣，它的低阻特性十分有用。
VMOS的低壓、低飽和導通電阻特性的主要應用有兩方面，一是DC-DC開關(guān)電源，加上它的高速特性，可以大幅度進步電路效率并減小體積；二是同步整流，可以有效進步電路效率，特別是低輸出電壓電路的效率。
同步整流電路是應用有源器件來替代二極管，用主動伺服控制電路來控制有源器件的開關(guān)來模仿二極管停止整流的電路。由于BJT、IGBT等有源器件在飽和壓降方面與二極管相比j1優(yōu)勢，因而目前常說的同步整流電路，簡直都是基于VMOS的，在30V以內(nèi)的輸出電壓規(guī)格的電源中，同步整流都有功耗方面的優(yōu)勢，而且輸出電壓越低，這個優(yōu)勢越大。比擬典型的常見例子是PC。
同步整流電路大都用于開關(guān)電源，即高頻整流電路，鮮有用于丁頻電路的，這主要是由于同步整流電路的電路復雜，本錢比二極管整流要高得多。而且，VMOS所能適用的上作頻率（兆赫茲級別）與市電工頻(50/60Hz)相比，真實是有點大材小用了。
不過，正是由于這個頻率太低了，因而我們才有可能將電路盡量簡單化，這樣我們就有可能在入門的時分體驗到同步整流的優(yōu)勢了。而且，同步整流小但功耗低，整流器件的導通電阻對外電路而言，是電源內(nèi)部的一局部，在很多應用中，低內(nèi)阻電源也足十分有用的。
在音頻應用中，為了追求低內(nèi)阻，功放電路的電源常常用快恢復二極管和肖特基二極管來替代普通整流二極管，前級電路則常常采用有源伺服和并聯(lián)穩(wěn)壓電路（當然還有追求低紋波的需求），單從內(nèi)阻指標來看，同步整流的指標要明顯優(yōu)于上述方式。
為了追求電路的簡單化，下面這個實驗電路在適用化方面可能不是那么完美（圖2.6），但是也足以顯現(xiàn)同步整流的優(yōu)勢。
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