【電子精選】限流軟啟動電路設(shè)計-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-08-02
當(dāng)使用固定的電阻限流時，電流大小受V_Cin和V_CL的差影響，安全上電瞬間的電流是最大的，隨后電流按指數(shù)曲線逐漸變小。電阻值需要保證安全上電瞬間，最大電流也不會超過設(shè)定值I_SET。
隨后的電流就更小于I_SET。這固然安全，但是也會造成電容CL充電過慢，后一級電路得到足夠電壓用時太長。
如果可以把電流始終限制在I_SET以下，可以去掉限流電阻，讓電流保持略小于I_SET，快速充電。
如下圖，電流曲線的積分為V_CL，左右兩圖的陰影面積大小相同，可以看出，電容CL得到相同的電壓時，限流電路充電時間t2明顯小于固定電阻充電時間t1。
在電源與PMOS之間串聯(lián)一個小電阻R4，就可以得到限流電路：
設(shè)R4電阻值為R，流過電阻的電流為I。把比較器的反相輸入端接在R4與PMOS之間，則反相輸入端的電壓：
同相輸入端接設(shè)置電壓V_SET。開關(guān)閉合瞬間，I非常大，u_N很小，u_P>u_N，PMOS不導(dǎo)通。由于PMOS不導(dǎo)通，所以I幾乎為0，u_N≈V_CC，u_P<u_N，PMOS導(dǎo)通。此時I非常大，u_N很小，u_P>u_N，PMOS不導(dǎo)通。
以此類推，可以看出PMOS在導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)間迅速切換，控制著電流的大小。令u_N=u_P，可得設(shè)定電流與參考電壓的關(guān)系：
限流軟啟動電路比電阻+并聯(lián)開關(guān)軟啟動方案為電容CL充電的速度快，由于R4的存在，也略微增大了穩(wěn)態(tài)時的能量損耗，此電阻的阻值很小，0.2歐姆。
下圖是它的效果波形截圖，黃色是電流采樣電路的輸出，通過公式I=2V可以計算出浪涌電流的大小。藍(lán)色是負(fù)載電容的電壓。
電流不超過2A，保持在最大值約11mS，然后極速下降。電流在最大值期間，VCL勻速上升。
如下圖是限流軟啟動電路與電阻+并聯(lián)開關(guān)軟啟動電路配合使用的效果，用限流的方式代替固定電阻，用電阻+并聯(lián)開關(guān)消除電阻上穩(wěn)態(tài)時的能量損耗。
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
免責(zé)聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權(quán)，請聯(lián)系刪除。
