PMOS做固態繼電器，PMOS防電流倒灌電路-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-06-23
可以通過增加一控制I/O，控制開通。并且能在主動關斷時，防止倒灌。
固態繼電器電路（防倒灌
如上這個電路，這個電路廣泛使用在 電源管理、充電控制上。
這個電路好就好在它是個雙向開關，而且可完全控制開通/關斷，完全可以替代機械繼電器來做固態繼電器（前提是輸入的信號電壓不能太低，起碼超出PMOS的G極導通電壓范圍）。
下面來分析原理：
CONTROL電平為高，電路開通，雙向導通：
如CONTROL電平為高，則Q4 NMOS開通，Q2、Q3的G極電位均被拉低到0V。
Q2的體二極管率先導通，Q2的S極電平為VCC-0.7V，因為G極電平為0，所以滿足開通條件，Q2完全導通。
而Q3此時的S極與Q2的S極相連，電位相同，均為VCC。并且G極電平為0，也滿足開通條件，Q3也完全導通。之后VCC向負載正常供電。
反過來，如果VCC=0，而負載是電壓源，也同樣導通，只不換成了Q3的體二極管先導通，然后再輪到Q2。
CONTROL電平為低，電路完全關斷：
CONTROL電平為低，Q2、Q3都會被關斷，并且R2持續上拉，保持Vgs=0，兩個PMOS全部處于完全關斷狀態。
并且因為Q2、Q3的體二極管是反向串聯的，所以無論從左還是從右側，流經DS的電流只有反向漏電流，幾乎是沒有的。
上面的開關電路固然非常好，但需要的元件數量的比較多，并且需要串聯兩個PMOS，會對負載效率和成本造成一定的影響。
如果只由一側向另一側供電，不考慮也不存在電流倒灌的情景。（實際中大多是是這種情景）來設計一個高側開關的話，可以是下面這種樣式：
上圖能控制開通/關斷，但不能防止電流倒灌。（體二極管會導通）
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