50n03參數中文 MOS管電路符號說明 30V50A內阻低 當天發貨-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2020-09-28
KIA50N03A是性能最高的溝道型N-ch MOSFETs，具有極高的性能單元密度，為大部分同步降壓轉換器提供優良的RDSON和柵極電荷產品用途：滿足羅氏和綠色產品的需求，100%艾氏保真全功能可靠性批準。
產品特點：
先進的溝槽處理技術
超低導通電阻的高密度電池設計
全特性雪崩電壓和電流
產品應用：
V DSS =30V,R DS(on) =6.5mΩ,I D =50A
Vds=30V
R DS(ON) =6.5mΩ(Max.),VGS@10V,Ids@30A
R DS(ON) =9.5mΩ(Max.),VGS@4.5V,Ids@30A
常用于場效應管的電路符號有很多種變化，最常見的設計是以一條直線代表通道，兩條和通道垂直的線代表源極與漏極，左方和通道平行而且較短的線代表柵極，如下圖所示。有時也會將代表通道的直線以破折線代替，以區分增強型MOSFET或是耗盡型MOSFET。
由于集成電路芯片上的MOS管為四端元件，所以除了柵極、源極、漏極外，尚有一基極。MOSFET電路符號中，從通道往右延伸的箭號方向則可表示此元件為N型或是P型的MOSFET。箭頭方向永遠從P端指向N端，所以箭頭從通道指向基極端的為P型的MOSFET，或簡稱PMOS（代表此元件的通道為P型）；反之若箭頭從基極指向通道，則代表基極為P型，而通道為N型，此元件為N型的MOSFET，簡稱NMOS。
在一般分布式MOSFET元件中，通常把基極和源極接在一起，故分布式MOSFET通常為三端元件。而在集成電路中的MOSFET通常因為使用同一個基極，所以不標示出基極的極性，而在PMOS的柵極端多加一個圓圈以示區別。
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