MOS管3400規(guī)格書下載-MOS管3400封裝-MOS管3400價(jià)格-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-11-14
KIA半導(dǎo)體是一家專業(yè)從事中、大、功率場效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設(shè)計(jì)，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。
擁有20年多年的企業(yè)歷史及16年的品牌歷史的可易亞，多年來一直堅(jiān)持創(chuàng)新技術(shù)，專注自主研發(fā)及制造MOS管，引進(jìn)多臺國外先進(jìn)設(shè)備，業(yè)務(wù)含括功率器件的直流參數(shù)檢測、雪崩能量檢測、可靠性實(shí)驗(yàn)、系統(tǒng)分析、失效分析等領(lǐng)域。強(qiáng)大的研發(fā)平臺，使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面擁有知識產(chǎn)權(quán)35項(xiàng)，并掌握多項(xiàng)場效應(yīng)管核心制造技術(shù)。
KIA3400采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供給良好的RDS（on），低門電荷門極電壓低至2.5V。KIA3400適合用于負(fù)載開關(guān)或是用于脈寬調(diào)制應(yīng)用。KIA3400是標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品（符合ROHS和Sony 259規(guī)范）。
VDS(V)=30V
RDS(on)<40mΩ(VGS=10V,ID=4.8A)
RDS(on)<42mΩ(VGS=4.5V,ID=4.0A)
RDS(on)<55mΩ(VGS=2.5V,ID=3.5A)
型號：KIA3400
漏源電壓：30V
柵源電壓：±12V
持續(xù)漏電流：4.8A
脈沖漏極電流:30A
結(jié)溫和儲存溫度范圍:-55℃-150℃
漏源擊穿電壓：30V
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