vdmos結構原理及特點-LDMOS與VDMOS比較分析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-11-06
vdmos結構原理是本文要講述的，80年代以來，迅猛發(fā)展的超大規(guī)模集成電路技術給高壓大電流半導體注入了新的活力，一批新型的聲控功放器件誕生了，其中最有代表性的產品就是VDMOS聲效應功率晶體管。
這種電流垂直流動的雙擴散MOS器件是電壓控制型器件。在合適的柵極電壓的控制下，半導體表面反型，形成導電溝道，于是漏極和源極之間流過適量的電流，VDMOS兼有雙極晶體管和普通MOS器件的優(yōu)點。與雙極晶體管相比，它的開關速度，開關損耗??；輸入阻抗高，驅動功率小；頻率特性好；跨導高度線性。
特別值得指明出的是，它具有負的溫度系數，沒有雙極功率的二次穿問題，安全工作出了區(qū)大。因此，不論是開關應用還是線性應用，VDMOS都是理想的功率器件。
現在，VDMOS器件已廣泛應用于各種領域，包括電機調速、逆變器、不間熠電源、開關電源、電子開關、高保真音響、汽車電器和電子鎮(zhèn)流器等。由于VDMOS的性能價格比已優(yōu)于比極功率器件，它在功率器件市聲中的份額已達42%。并將繼續(xù)上升。
VDMOS兼有雙極晶體管和普通MOS器件的優(yōu)點，無論是開關應用還是線形應用，VDMOS都是理想的功率器件，VDMOS主要應用于電機調速、逆變器、不間斷電源、電子開關、高保真音響、汽車電器和電子鎮(zhèn)流器等。
VDMOS接近無限大的靜態(tài)輸入阻抗特性，非?？斓拈_關時間，導通電阻正溫度系數，近似常數的跨導， 高dV/dt。
1、用柵極電壓來控制漏極電流
2、驅動電路簡單，需要的驅動功率小
3、開關速度快，工作頻率高
4、熱穩(wěn)定性優(yōu)于GTR
5、電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置
縱向雙擴散器件 VDMOS(Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor)和橫向雙擴散器件 LDMOS(Lateral Double-diffused MOSFET)是高壓MOS發(fā)展過程中的兩種主要結構。
導通電阻小和版圖面積小是 VDMOS 的主要優(yōu)點；但由于它是縱向結構，與低壓 CMOS 電路的兼容性較差；為了提升其兼容性，通常在漂移區(qū)下面放置一埋層，然后將漏電流傳輸到硅表面，但同時也帶來了缺點：增加了成本，并且工藝也變得復雜，故對兼容性要求較高的高低壓集成電路中，VDMOS 使用得很少。
而作為平面結構的LDMOS與大規(guī)模集成電路的兼容性非常好，且工藝簡單，易于實現，性能穩(wěn)定，因此，在高低壓兼容的集成電路中得到了廣泛的運用，例如 LDMOS作為HDTV的PDP顯示屏和汽車電子的高壓功率放大器件。為了實現高壓和大電流，LDMOS 版圖面積大，芯片成本高，而導通電阻與擊穿電壓之間的折衷卻是其最大的缺點。
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