5G通訊基站保護板專用MOS管原廠優(yōu)勢凸顯 KNX2710A 160A/100V-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-10-18
5G基站是5G網(wǎng)絡(luò)的核心設(shè)備，基站的架構(gòu)、形態(tài)直接影響5G網(wǎng)絡(luò)的部署策略。在目前的技術(shù)標準中，5G的頻段遠高于當前的2G和3G，5G頻段的特點也決定著在達到3G覆蓋質(zhì)量的情況下，5G的基站密度將更高。
5G基站主要用于提供5G空口協(xié)議功能，支持與用戶設(shè)備、核心網(wǎng)之間的通信。按照邏輯功能劃分，5G基站可分為5G基帶單元與5G射頻單元，二者之間可通過CPRI或eCPRI接口連接。
5G基帶單元負責NR基帶協(xié)議處理，包括整個用戶面（UP）及控制面（CP）協(xié)議處理功能，并提供與核心網(wǎng)之間的回傳接口（NG接口）以及基站間互連接口（Xn接口）。
5G射頻單元主要完成NR基帶信號與射頻信號的轉(zhuǎn)換及NR射頻信號的收發(fā)處理功能。在下行方向，接收從5G基帶單元傳來的基帶信號，經(jīng)過上變頻、數(shù)模轉(zhuǎn)換以及射頻調(diào)制、濾波、信號放大等發(fā)射鏈路（TX）處理后，經(jīng)由開關(guān)、天線單元發(fā)射出去。在上行方向，
5G射頻單元通過天線單元接收上行射頻信號，經(jīng)過低噪放、濾波、解調(diào)等接收鏈路（RX）處理后，再進行模數(shù)轉(zhuǎn)換、下變頻，轉(zhuǎn)換為基帶信號并發(fā)送給5G基帶單元。
專有新溝槽技術(shù)
RDS(ON),typ.=4.5mΩ@VGS=10V
低柵極電荷使開關(guān)損耗最小化
快恢復(fù)體二極管
型號：KNX2710A
工作方式：160A/100V
漏源電壓：100V
柵極到源極電壓:±20V
連續(xù)漏電流:160A/80A/120A
脈沖漏電流在VGS=10V：640A
單脈沖雪崩能量:1200MJ
峰值二極管恢復(fù)dv/dt:5.0V/ns
功耗:333W
漏源擊穿電壓:100V
輸入電容:8000pF
反向轉(zhuǎn)移電容:950pF
輸出電容:760pF
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深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司.是一家專業(yè)從事中、大、功率場效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設(shè)計，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。
現(xiàn)已經(jīng)擁有了獨立的研發(fā)中心，研發(fā)人員以來自韓國(臺灣)超一流團隊，可以快速根據(jù)客戶應(yīng)用領(lǐng)域的個性來設(shè)計方案，同時引進多臺國外先進設(shè)備，業(yè)務(wù)含括功率器件的直流參數(shù)檢測、雪崩能量檢測、可靠性實驗、系統(tǒng)分析、失效分析等領(lǐng)域。
強大的研發(fā)平臺，使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設(shè)計方面擁有知識產(chǎn)權(quán)35項，并掌握多項場效應(yīng)管核心制造技術(shù)。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競爭力。
KIA專注于產(chǎn)品的精細化與革新，力求為客戶提供最具行業(yè)領(lǐng)先、品質(zhì)上乘的科技產(chǎn)品。
KIA半導(dǎo)體從設(shè)計研發(fā)到制造再到倉儲物流，KIA半導(dǎo)體真正實現(xiàn)了一體化的服務(wù)鏈，真正做到了服務(wù)細節(jié)全到位的品牌內(nèi)涵，我們致力于成為場效應(yīng)管（MOSFET）功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)跑者，為了這個目標，KIA半導(dǎo)體正在持續(xù)創(chuàng)新，永不止步！
1、經(jīng)營思想理念
攜手客戶、創(chuàng)新設(shè)計、共同提升、服務(wù)市場；
2、我們愿意為客戶做產(chǎn)品調(diào)整
3、提高客戶產(chǎn)品技術(shù)保密性與性價比
4、擁有設(shè)計與制造一體化服務(wù)
5、擁有高效反應(yīng)的設(shè)計團隊
6、KIA引進多臺國外先進設(shè)備（直流參數(shù)檢測、雪崩能量檢測、可靠性實驗、系統(tǒng)分析、失效分析等），為您的產(chǎn)品質(zhì)量做好嚴格的把關(guān)。
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