MOS管 HY3210可以用KNX2910A替代 參數(shù)/規(guī)格書(shū)/封裝詳情-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2019-06-20
KIA半導(dǎo)體KNX2910A可以替代HY3210，KIA半導(dǎo)體深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司.是一家專業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。
KIA半導(dǎo)體的產(chǎn)品涵蓋工業(yè)、新能源、交通運(yùn)輸、綠色照明四大領(lǐng)域，不僅包括光伏逆變及無(wú)人機(jī)、充電樁、這類新興能源，也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于產(chǎn)品的精細(xì)化與革新，力求為客戶提供最具行業(yè)領(lǐng)先、品質(zhì)上乘的科技產(chǎn)品。
下文將介紹HY3210和KNX2910A兩個(gè)型號(hào)的參數(shù)對(duì)比、封裝、規(guī)格書(shū)等詳情。
1、開(kāi)關(guān)電源中的高效同步整流
2、高速功率開(kāi)關(guān)
RDS(on)=5.0mΩ @VGS=10V
超高密度電池設(shè)計(jì)
超低導(dǎo)通電阻
雪崩測(cè)試100%
提供無(wú)鉛和綠色設(shè)備（符合RoHS）
型號(hào)：KNX2910A
參數(shù)：130A/100V
漏源電壓：100V
柵源電壓:±25V
雪崩能量單脈沖:552MJ
漏源擊穿電壓:100V
輸入電容：6800pF
輸出電容：630pF
反向轉(zhuǎn)移電容：350pF
查看及下載規(guī)格書(shū)，請(qǐng)點(diǎn)擊下圖。
RDS(ON)=6.8mΩ(typ.)@VGS=10V
雪崩測(cè)試100%
可靠、堅(jiān)固
無(wú)鉛和綠色設(shè)備
電源切換應(yīng)用
不間斷電源
查看及下載規(guī)格書(shū)，請(qǐng)點(diǎn)擊下圖。
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