P溝道MOS管參數大全-P溝道MOS管基本知識介紹及導通條件-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2018-08-29
金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類，P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導，柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時，柵極下的N型硅表面呈現P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的電子密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應晶體管稱為P溝道增強型場效應晶體管。如果N型硅襯底表面不加柵壓就已存在P型反型層溝道，加上適當的偏壓，可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場效應晶體管稱為P溝道耗盡型場效應晶體管。統稱為PMOS晶體管。
P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，P溝道MOS管的跨導小于N溝道MOS晶體管。此外，P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對值一般偏高，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過程長，加之器件跨導小，所以工作速度更低，在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導體集成電路)出現之后，多數已為NMOS電路所取代。只是,因P溝道MOS管電路工藝簡單,價格便宜，有些中規模和小規模數字控制電路仍采用P溝道MOS管電路技術。
PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領域內應用的器件。P溝道MOS管集成電路采用-24V電壓供電。如圖5所示的CMOS-PMOS接口電路采用兩種電源供電。采用直接接口方式，一般CMOS的電源電壓選擇在10～12V就能滿足PMOS對輸入電平的要求。
P溝道mos管作為開關，柵源的閥值為-0.4V，當柵源的電壓差為-0.4V就會使DS導通，如果S為2.8V，G為1.8V，那么GS=-1V，mos管導通，D為2.8V如果S為2.8V，G為2.8V，VGSw那么mos管不導通，D為0V，所以，如果2.8V連接到S，要mos管導通為系統供電，系統連接到D，利用G控制。那么和G相連的GPIO高電平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管關斷，低電平使mos管導通。
如果控制G的GPIO的電壓區域為1.8V，那么GPIO高電平的時候為1.8V，GS為1.8-2.8=-1V，mos管導通，不能夠關斷。GPIO為低電平的時候，假如0.1V，那么GS為0.1-2.8=-2.7V,mos管導通。這種情況下GPIO就不能夠控制mos管的導通和關閉。當柵源的電壓差為-0.4V就會使DS導通，如果S為5V，G為4V，那么GS=-1V，mos管導通，D為5V。
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本文主要是講述P溝道MOS管的參數、型號。
Part Numbe
ID（A）
BVDSS（V）
RDS（ON）（Ω）
Package
KIA2301
-2.8
-20
0.12
SOT-23
KIA2305
-3.5
-20
0.055
SOT-23
KIA3401
-4
-30
0.06
SOT-23
KIA3407
-4.1
-30
0.06
SOT-23
KIA3409
-2.6
-30
0.06
SOT-23
KIA3415
-4
-16
0.045
SOT-23
KIA3423
-2
-20
0.092
SOT-23
KIA4953
-5.3
-30
0.063
SOP-8
KIA9435
-5.3
-30
0.06
SOP-8
KIA7P03A
-7.5
-30
0.018
SOP-8
KIA4435
-10.5
-30
0.018
SOP-8
|
Part Numbe |
ID（A） |
VDSS（v） |
RDS（Ω）（MAX） |
RDS（Ω）（TYP） |
ciss |
|
pF |
|||||
|
KIA23P10A |
-23 |
-100 |
0.95 |
0..078 |
3029 |
|
KIA35P10A |
-35 |
-100 |
0.055 |
0.042 |
4920 |
|
KPD8610A |
-35 |
-100 |
0.055 |
0.042 |
6516 |
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